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PC28F640J3F75B

更新时间： 2024-10-02 14:59:03

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镁光 - MICRON		/
页数	文件大小	规格书
66页	2203K
描述
32Mb, 64Mb, 128Mb, 65nm Embedded Parallel NOR Flash Memory, Single Bit Per Cell (SBC)

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PC28F640J3F75B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TBGA, BGA64,8X8,40	针数：	64
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.59
最长访问时间：	75 ns	备用内存宽度：	8
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PBGA-B64
JESD-609代码：	e1	长度：	13 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	64	端子数量：	64
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TBGA
封装等效代码：	BGA64,8X8,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE	页面大小：	4/8 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/3.3 V	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	128K
最大待机电流：	0.00012 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.08 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

PC28F640J3F75B 数据手册

Numonyx^®Embedded Flash Memory (J3 65

nm) Single Bit per Cell (SBC)

32, 64, and 128 Mbit

Datasheet

Product Features

Architecture

Security

— Symmetrical 128-KB blocks

— 128 Mbit (128 blocks)

— 64 Mbit (64 blocks)

— Enhanced security options for code

protection

— Absolute protection with V_PEN= Vss

— Individual block locking

— 32 Mbit (32 blocks)

— Block erase/program lockout during power

transitions

— Password Access feature

— One-Time Programmable Register:

64 OTP bits, programmed with unique

information by Numonyx

— Blank Check to verify an erased block

Performance

— Initial Access Speed: 75ns

— 25 ns 8-word Asynchronous page-mode

reads

— 256-Word write buffer for x16 mode, 256-

Byte write buffer for x8 mode;

1.41 µs per Byte Effective programming

time

64 OTP bits, available for customer

programming

Software

— Program and erase suspend support

— Numonyx^®Flash Data Integrator (FDI)

— Common Flash Interface (CFI) Compatible

— Scalable Command Set

System Voltage

— V_CC= 2.7 V to 3.6 V

— V_CCQ= 2.7 V to 3.6 V

Packaging

Quality and Reliability

— 56-Lead TSOP

— 64-Ball Easy BGA package

— Operating temperature:

-40 °C to +85 °C

— 100K Minimum erase cycles per block

— 65 nm Flash Technology

— JESD47E Compliant

208032-03

Jan 2011

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

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