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PC28F640P33BF60A PDF预览

PC28F640P33BF60A

更新时间： 2024-02-20 00:14:18
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 闪存
页数 文件大小 规格书
88页 3952K
描述
Numonyx® P33-65nm Flash Memory

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PC28F640P33BF60A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TBGA, BGA64,8X8,40针数：64
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.75
最长访问时间：60 ns其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PBGA-B64JESD-609代码：e1
长度：10 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：4,63
端子数量：64字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：4MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TBGA封装等效代码：BGA64,8X8,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE
页面大小：8 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：2.5/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,64K
最大待机电流：0.002 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.028 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：8 mmBase Number Matches：1

PC28F640P33BF60A 数据手册

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®
Numonyx P33-65nm Flash Memory  
128-Mbit, 64-Mbit Single Bit per Cell (SBC)  
Datasheet  
Product Features  
„
High performance:  
„
Security:  
— 60ns initial access time for Easy BGA  
— 70ns initial access time for TSOP  
— 25ns 8-word asynchronous-page read  
mode  
— 52MHz with zero wait states, 17ns clock-to-  
data output synchronous-burst read mode  
— 4-, 8-, 16-, and continuous-word options  
for burst mode  
— One-Time Programmable Registers:  
— 64 OTP bits, programmed with unique  
information by Numonyx  
— 2112 OTP bits, available for customer  
programming  
— Absolute write protection: VPP = VSS  
— Power-transition erase/program lockout  
— Individual zero-latency block locking  
— Individual block lock-down capability  
— Password Access feature  
— 3.0V buffered programming at 1.8MByte/s  
(Typ) using 256-word buffer  
— Buffered Enhanced Factory Programming at  
3.2MByte/s (typ) using 256-word buffer  
„
Software:  
— 20µs (Typ) program suspend  
— 20µs (Typ) erase suspend  
— Basic Command Set and Extended Function  
Interface (EFI) Command Set compatible  
„
Architecture:  
— Asymmetrically-blocked architecture  
— Four 32-KByte parameter blocks: top or  
bottom configuration  
— 128-KByte main blocks  
— Common Flash Interface capable  
„
Density and Packaging:  
— Blank Check to verify an erased block  
— 56-Lead TSOP package (128-Mbit, 64-Mbit)  
— 64-Ball Easy BGA package (128-Mbit, 64-  
Mbit)  
„
Voltage and Power:  
— VCC (core) voltage: 2.3V – 3.6V  
— VCCQ (I/O) voltage: 2.3V – 3.6V  
— 16-bit wide data bus  
— Standby current: 35μA(Typ) for 64-Mbit,  
50μA(Typ) for 128-Mbit  
„
Quality and Reliability:  
— JESD47E Compliant  
— Continuous synchronous read current:  
23mA (Typ) at 52 MHz  
— Operating temperature: –40°C to +85°C  
— Minimum 100,000 erase cycles per block  
— 65nm process technology  
Datasheet  
1
Jul 2011  
Order Number: 208034-04  
1234567...88

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PC28F640P33BF60A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
RC28F640P33BF60A MICRON

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 Legacy NOR Flash

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PC28F640P33BF60D NUMONYX

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 		Numonyx® P33-65nm Flash Memory 128-Mbit, 64-
PC28F640P33BF60D MICRON

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 		Legacy NOR Flash
PC28F640P33T85B NUMONYX

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 		Flash, 4MX16, 85ns, PBGA64, LEAD FREE, BGA-64
PC28F640P33TF60 NUMONYX

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 		Numonyx® P33-65nm Flash Memory
PC28F640P33TF60A MICRON

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 		Legacy NOR Flash
PC28F800C3BD70 NUMONYX

获取价格

 		Flash, 512KX16, 70ns, PBGA64, LEAD FREE, BGA-64
PC28F800C3BD70 INTEL

获取价格

 		Flash, 512KX16, 70ns, PBGA64, LEAD FREE, BGA-64
PC28F800C3TD70 INTEL

获取价格

 		Flash, 512KX16, 70ns, PBGA64, LEAD FREE, BGA-64
PC28F800C3TD70 NUMONYX

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 		Flash, 512KX16, 70ns, PBGA64, LEAD FREE, BGA-64
PC28S BEL

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 		Board Connector, 28 Contact(s), 2 Row(s), Female, Right Angle, 0.1 inch Pitch, Solder Term

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