是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | TBGA, | 针数: | 64 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.79 |
最长访问时间: | 95 ns | 其他特性: | IT ALSO OPERATES IN ASYNCHRONOUS MODE |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B64 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 10 mm | 内存密度: | 536870912 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 64 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
编程电压: | 3 V | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PC28F512P33TFA | MICRON |
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Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm) | |
PC28F640J3A-110 | INTEL |
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Intel StrataFlash Memory (J3) | |
PC28F640J3A-115 | INTEL |
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Intel StrataFlash Memory (J3) | |
PC28F640J3A-120 | INTEL |
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Intel StrataFlash Memory (J3) | |
PC28F640J3A-125 | INTEL |
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Intel StrataFlash Memory (J3) | |
PC28F640J3A-150 | INTEL |
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Intel StrataFlash Memory (J3) | |
PC28F640J3C-110 | INTEL |
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Intel StrataFlash Memory (J3) | |
PC28F640J3C115 | INTEL |
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Intel StrataFlash® Memory | |
PC28F640J3C-115 | INTEL |
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Intel StrataFlash Memory (J3) | |
PC28F640J3C-120 | INTEL |
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Intel StrataFlash Memory (J3) |