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PBYR10-80B

更新时间: 2024-11-07 15:47:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 86K
描述
DIODE 10 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

PBYR10-80B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.76
其他特性:SURGE CAPABILITY应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流:150 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最大输出电流:10 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:80 V表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

PBYR10-80B 数据手册

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