5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | S-XUFM-W4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 最小击穿电压： | 50 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V | JESD-30 代码： | S-XUFM-W4 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 200 A | 元件数量： | 4 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 6 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向电流： | 10 µA |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PB600BX | NIKOSEM |
获取价格 |
PDFN 2x2 |
|
| PB6013 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92 |
|
| PB6014 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92 |
|
| PB6015 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 15V V(BR)CEO | 800PA I(C) | TO-92 |
|
| PB6025 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 800PA I(C) | TO-92 |
|
| PB6034 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92 |
|
| PB604 | DIODES |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 6A, Silicon |
|
| PB605 | MCC |
获取价格 |
6 Amp Glass Passivated Rectifier 50 to 1000 Volts |
|
| PB605 | CHENG-YI |
获取价格 |
SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE |
|
| PB605_08 | MCC |
获取价格 |
6 Amp Single Phase Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
