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PB610F

更新时间: 2024-01-03 03:10:22
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美台 - DIODES 局域网二极管
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1页 52K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 6A, 1000V V(RRM), Silicon

PB610F 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-XBFM-W4
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.49最小击穿电压:1000 V
外壳连接:ISOLATED配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 VJESD-30 代码:R-XBFM-W4
最大非重复峰值正向电流:200 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:6 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向电流:0.00001 µA子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOMBase Number Matches:1

PB610F 数据手册

  
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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