5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | R-XBFM-W4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.21 |
| 最小击穿电压： | 50 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V |
| JESD-30 代码： | R-XBFM-W4 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 200 A | 元件数量： | 4 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 6 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 50 V | 最大反向电流： | 0.00001 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.2 µs | 子类别： | Bridge Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PB606 | DIODES |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 6A, Silicon |
|
| PB606BX | NIKOSEM |
获取价格 |
PDFN 2x2 |
|
| PB61 | MCC |
获取价格 |
6 Amp Glass Passivated Rectifier 50 to 1000 Volts |
|
| PB61 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 6A, 100V V(RRM), |
|
| PB61 | CHENG-YI |
获取价格 |
SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE |
|
| PB610 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 6A, 1000V V(RRM), |
|
| PB610 | MCC |
获取价格 |
6 Amp Glass Passivated Rectifier 50 to 1000 Volts |
|
| PB610 | CHENG-YI |
获取价格 |
SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE |
|
| PB610-B | MCC |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 6A, 1000V V(RRM), |
|
| PB610-BP | MCC |
获取价格 |
6 Amp Single Phase Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
