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P6SMBJ160A PDF预览

P6SMBJ160A

更新时间: 2024-11-11 23:05:51
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 158K
描述
Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor diodes

P6SMBJ160A 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-214AA包装说明:R-PDSO-C2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.15最大击穿电压:198 V
最小击穿电压:178 V击穿电压标称值:188 V
最大钳位电压:259 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214AAJESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e2最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-50 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:160 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

P6SMBJ160A 数据手册

 浏览型号P6SMBJ160A的Datasheet PDF文件第2页 
P6 SMBJ 150...P6 SMBJ 180CA  
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Unidirectional and  
bidirectional Transient  
Voltage Suppressor  
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P6 SMBJ 150...P6 SMBJ 180CA  
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Dissipation: 600 W  
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Maximum Stand-off  
voltage: 150 ... 180 V  
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1
24-03-2005 SCT  
© by SEMIKRON  

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