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P6SMBJ11CA-AQ

更新时间: 2024-11-04 13:12:11
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德欧泰克 - DIOTEC 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 92K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode,

P6SMBJ11CA-AQ 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.68
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE湿度敏感等级:1
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

P6SMBJ11CA-AQ 数据手册

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P6SMBJ5.0 ... P6SMBJ170CA  
P6SMBJ5.0 ... P6SMBJ170CA  
Surface mount unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes  
Unidirektionale und bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden für die Oberflächenmontage  
Version 2006-07-04  
Peak pulse power dissipation  
Impuls-Verlustleistung  
600 W  
5.4± 0.5  
Nominal Stand-off voltage  
Nominale Sperrspannung  
5.0...170 V  
1.1  
Plastic case  
~ SMB  
Kunststoffgehäuse  
~ DO-214AA  
Type  
Typ  
Weight approx. – Gewicht ca.  
0.1 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
5± 0.5  
Standard packaging taped and reeled  
Standard Lieferform gegurtet auf Rollen  
Dimensions - Maße [mm]  
For bidirectional types, suppressor characteristics apply in both directions; add suffix “C” or “CA”.  
Für bidirektionale Dioden gelten die Begrenzer-Eigenschaften in beiden Richtungen;  
es ist das Suffix “C” oder “CA” zu ergänzen.  
TVS diodes having breakdown voltage VBR = 220 ... 550 V:  
please refer to datasheet P6SMB220 ... 550CA  
TVS-Dioden mit Abbruchspannung VBR = 220 ... 550 V: siehe Datenblatt P6SMB220 ... 550CA  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)  
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)  
TA = 25°C  
TT = 75°C  
TA = 25°C  
IF = 25 A  
PPPM  
PM(AV)  
IFSM  
VF  
600 W 1)  
Steady state power dissipation  
Verlustleistung im Dauerbetrieb  
5 W  
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle  
100 A 2)  
< 3.0 V 2)  
Max. instantaneous forward voltage  
Augenblickswert der Durchlass-Spannung  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-50...+150°C  
-50...+150°C  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
< 45 K/W 3)  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
Thermal resistance junction to terminal  
RthT  
< 15 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss  
1
Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)  
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)  
2
3
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden  
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal  
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
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