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P6SMB30CATR13LEADFREE

更新时间: 2024-11-10 13:26:07
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CENTRAL 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 71K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 25.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

P6SMB30CATR13LEADFREE 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.13
Is Samacsys:N最大击穿电压:31.5 V
最小击穿电压:28.5 V击穿电压标称值:30 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:600 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性:BIDIRECTIONAL
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:25.6 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10Base Number Matches:1

P6SMB30CATR13LEADFREE 数据手册

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