P6SMB220 ... P6SMB550CA
P6SMB220 ... P6SMB550CA
PPPM = 600 W
PM(AV) = 5.0 W
Tjmax = 150°C
VWM = 175 ... 495 V
VBR = 220 ... 550 V
SMD Transient Voltage Suppressor Diodes
SMD Spannungs-Begrenzer-Dioden
Version 2017-01-20
Typical Applications
Over-voltage protection
ESD protection
Typische Anwendungen
Schutz gegen Überspannung
ESD-Schutz
~ SMB / ~ DO-214AA
5.4± 0.5
Free-wheeling diodes
Commercial grade 1)
Freilauf-Dioden
Standardausführung 1)
Features
Besonderheiten
1.1
0.15
Uni- and Bidirectional versions
Peak pulse power of 600 W
(10/1000 µs waveform)
Very fast response time
Further available: P6SMBJ5.0...170CA
having VWM = 5.0 ... 170 V
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Uni- und Bidirektionale Versionen
600 W Impuls-Verlustleistung
(10/1000 µs Strom-Impuls)
Sehr schnelle Ansprechzeit
Auch erhältlich: P6SMBJ5.0...170CA
mit VWM = 5.0 ... 170 V
Type
Typ
R
Konform zu RoHS, REACH,
4.6± 0.5
Pb
V
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Dimensions - Maße [mm]
Taped and reeled
Weight approx.
3000 / 13“
0.1 g
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
Type Code = VBR. Cathode mark
only at unidirectional types
Case material
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
Gehäusematerial
Typ-Code = VBR. Kathoden-Markierung
nur bei unidirektionalen Typen
Solder & assembly conditions
Löt- und Einbaubedingungen
For bidirectional types (suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (mit Suffix “C” oder “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
PPPM
600 W 3)
5 W
Steady state power dissipation – Verlustleistung im Dauerbetrieb
TT = 75°C
PM(AV)
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
60 Hz (8.3 ms) IFSM
100 A 4)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Characteristics
Kennwerte
Max. instantaneous forward
voltage Augenblickswert der Durchlass-Spannung
< 3.0 V 4)
IF = 25 A VBR ≤ 550 V
VF
Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
Thermal resistance junction to terminal – Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthA
RthT
< 45 K/W 5)
< 15 K/W
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)
2
3
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)
4
5
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1