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P6SMB10ATR13

更新时间: 2024-11-04 14:44:07
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CENTRAL 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 65K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8.55V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

P6SMB10ATR13 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.12
最大击穿电压:10.5 V最小击穿电压:9.5 V
击穿电压标称值:10 V最大钳位电压:14.5 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:8.55 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:C BEND
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

P6SMB10ATR13 数据手册

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