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P600M-E3/54

更新时间： 2024-02-10 04:38:22
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 81K
描述
DIODE 6 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Rectifier Diode

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P600M-E3/54 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：1.32Samacsys Description：Vishay P600M-E3/54 Switching Diode, 1000V 6A, 2-Pin P600
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：400 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：6 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
最大反向恢复时间：2.5 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

P600M-E3/54 数据手册

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P600A, P600B, P600D, P600G, P600J, P600K, P600M  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
General Purpose Plastic Rectifier  
FEATURES  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
• High forward current capability  
• High forward surge capability  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
P600  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in general purpose rectification of power supplies,  
inverters, converters and freewheeling diodes application.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
6.0 A  
50 V, 100 V, 200 V, 400 V, 600 V,  
800 V, 1000 V  
VRRM  
MECHANICAL DATA  
Case: P600, void-free molded epoxy body  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
IFSM  
VF  
400 A  
0.9 V, 1.0 V  
5.0 μA  
IR  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
TJ max.  
Package  
Diode variations  
150 °C  
P600  
Single die  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL P600A P600B P600D P600G P600J P600K P600M UNIT  
Max. repetitive peak reverse voltage  
Max. RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
Max. DC blocking voltage  
100  
1000  
TA = 60 °C, 0.375" (9.5 mm)  
lead length (fig. 1)  
6.0  
22  
Max. average  
forward rectified  
current at  
IF(AV)  
A
TL = 60 °C, 0.125" (3.18 mm)  
lead length (fig. 2)  
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
400  
A
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 50 to + 150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL P600A P600B P600D P600G P600J P600K P600M UNIT  
6.0 A  
0.90  
1.30  
1.0  
1.4  
Max. instantaneous forward  
voltage  
VF  
IR  
V
100 A  
TA = 25 °C  
TA =100 °C  
5.0  
1.0  
μA  
Max. DC reverse current at  
rated DC blocking voltage  
mA  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A,  
Typical reverse recovery time  
Typical junction capacitance  
trr  
2.5  
μs  
Irr = 0.25 A  
4.0 V, 1 MHz  
CJ  
150  
pF  
Revision: 13-Aug-13  
Document Number: 88692  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234

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P600M-E3/54 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
6A10-TP MCC

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 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R
6A10-T DIODES

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 6.0A SILICON RECTIFIER
NTE5817 NTE

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 6 Amp Plastic Silicon Rectifier

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P600M-E3/73 NJSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 1000V V(RRM), Silicon
P600M-E3/73 VISHAY

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 		DIODE 6 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Re
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