是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-15 |
包装说明: | O-PALF-W2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.28 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED |
最大击穿电压: | 192.5 V | 最小击穿电压: | 167 V |
击穿电压标称值: | 179.75 V | 外壳连接: | ISOLATED |
最大钳位电压: | 243 V | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-15 | JESD-30 代码: | O-PALF-W2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 500 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | BIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 1 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 150 V | 子类别: | Transient Suppressors |
表面贴装: | NO | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
P5KE150CA-BP | MCC |
功能相似 |
暂无描述 | |
P5KE150CA | MCC |
功能相似 |
500WATTS TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 5.0 TO 200 VOLTS |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
P5KE150CATR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 150V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 | |
P5KE150C-BP | MCC |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 150V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-1 | |
P5KE150C-BP-HF | MCC |
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暂无描述 | |
P5KE150CE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 150V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 | |
P5KE150CE3TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 150V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 | |
P5KE150CHR | DIGITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode | |
P5KE150C-T | MCC |
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Transient Suppressor, | |
P5KE150C-TP | MCC |
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暂无描述 | |
P5KE150C-TP-HF | MCC |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 150V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-1 | |
P5KE150CTR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 150V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |