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P4SMA600A-E PDF预览

P4SMA600A-E

更新时间： 2024-11-13 15:47:23
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 1176K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 510V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN

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P4SMA600A-E 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.74
其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY最大击穿电压：630 V
最小击穿电压：570 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-214ACJESD-30 代码：R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散：400 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：3.3 W
参考标准：IEC-61000-4-2; IEC-61000-4-4最大重复峰值反向电压：510 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

P4SMA600A-E 数据手册

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•ꢀ  
                                                                                      
Highꢀtemperatureꢀ  
Maximum Ratings andThermal Characteristics  
(TA=25OC unless otherwise noted)  
                                                                
Lowꢀprofileꢀpackage  
• ꢀV BRꢀ@ꢀTJ=ꢀVBR@25°Cꢀ  
                                                                                      
•ꢀTypicalꢀfailureꢀmodeꢀisꢀ  
                                                                
•ꢀWhiskerꢀtestꢀisꢀconductedꢀ  
                                                                
•ꢀ  
                                                                                      
EPIꢀsiliconꢀtechnology  
•ꢀ  
                                                                                      
MeetꢀMSLꢀlevel1,ꢀperꢀ  
J-STD-020C,ꢀLFꢀmaximunꢀ  
peakꢀofꢀ260°C  
•ꢀ  
                                                                
IEC-61000-4-2ꢀESDꢀ  
•ꢀ  
•ꢀ  
•ꢀ  
                                                                
ESDꢀprotectionꢀofꢀdataꢀ  
linesꢀinꢀaccordanceꢀwithꢀ  
IECꢀ61000-4-2ꢀꢀ  
EFTꢀprotectionꢀofꢀdataꢀ  
linesꢀinꢀaccordanceꢀwithꢀ  
IECꢀ61000-4-4ꢀꢀ  
                                                                
RθJL  
RθJA  
30  
°C/W  
°C/W  
                                                                
Built-inꢀstrainꢀrelief  
•ꢀ  
•ꢀ  
                                                                
Forꢀsurfaceꢀmountedꢀ  
applicationsꢀtoꢀoptimizeꢀ  
boardꢀspace  
TVS Diodes  
Surface Mount – 400W > P4SMA-ESeries  
RoHS  
Pb e3  
P4SMA-E Series  
Description  
Uni-directional  
TheꢀP4SMA-Eꢀseriesꢀisꢀdesignedꢀspecificallyꢀtoꢀprotectꢀ  
sensitiveꢀelectronicꢀequipmentꢀfromꢀvoltageꢀtransientsꢀ  
inducedꢀbyꢀlightningꢀandꢀotherꢀtransientꢀvoltageꢀevents.  
Features  
•ꢀ Excellentꢀclampingꢀ  
capability  
•ꢀ Fastꢀresponseꢀtime:ꢀ  
typicallyꢀlessꢀthanꢀ1.0psꢀ  
fromꢀ0VꢀtoꢀBVꢀmin  
toꢀreflowꢀsolderingꢀ  
guaranteed:ꢀ260°C/40sec  
xꢀ(1+αTꢀxꢀ(TJꢀ-ꢀ25))  
(αT:Temperatureꢀꢀꢀꢀꢀꢀ  
Coefficient,ꢀtypicalꢀvalueꢀisꢀ  
0.1%)  
shortꢀfromꢀover-specifiedꢀ  
voltageꢀorꢀcurrentꢀ  
Parameter  
Symbol  
PPPM  
Value  
400  
Unit  
W
PeakꢀPulseꢀPowerꢀDissipationꢀatꢀ  
TA=25ºCꢀbyꢀ10/1000µsꢀWaveformꢀ  
(Fig.2)(Noteꢀ1),ꢀ(Noteꢀ2)  
basedꢀonꢀJEDECꢀ  
JESD201Aꢀperꢀitsꢀtableꢀ4aꢀ  
andꢀ4c  
PowerꢀDissipationꢀonꢀInfiniteꢀHeatꢀ  
SinkꢀatꢀTL=50OC  
PD  
3.3  
60  
W
A
PeakꢀForwardꢀSurgeꢀCurrent,ꢀ8.3msꢀ  
SingleꢀHalfꢀSineꢀWaveꢀ(Noteꢀ3)  
30kV(Air),ꢀ30kVꢀ(Contact)  
IFSM  
•ꢀ Matteꢀtinꢀlead–freeꢀPlated  
•ꢀHalogen-freeꢀandꢀRoHSꢀ  
compliant  
•ꢀPb-freeꢀE3ꢀmeansꢀ2ndꢀ  
levelꢀinterconnectꢀisꢀ  
Pb-freeꢀandꢀtheꢀterminalꢀ  
finishꢀmaterialꢀisꢀtin(Sn)ꢀ  
(IPC/JEDECꢀJ-STD-  
609A.01)  
MaximumꢀInstantaneousꢀForwardꢀ  
Voltageꢀatꢀ25AꢀforꢀUnidirectionalꢀꢀ  
Onlyꢀ  
VF  
3.5  
V
OperatingꢀTemperatureꢀRange  
TJ  
-65ꢀtoꢀ150  
-65ꢀtoꢀ175  
°C  
°C  
StorageꢀTemperatureꢀRange  
TSTG  
TypicalꢀThermalꢀResistanceꢀJunctionꢀ  
toꢀLead  
•ꢀ400Wꢀpeakꢀpulseꢀpowerꢀ  
capabilityꢀatꢀ10/1000µsꢀ  
waveform,ꢀrepetitionꢀrateꢀ  
(dutyꢀcycles):0.01%  
TypicalꢀThermalꢀResistanceꢀJunctionꢀ  
toꢀAmbient  
120  
Notes:  
1.ꢀ Non-repetitiveꢀcurrentꢀpulse,ꢀperꢀFig.4ꢀandꢀderatedꢀaboveꢀTJꢀ(initial)ꢀ=25ºCꢀperꢀFig.ꢀ3.  
•ꢀ Lowꢀincrementalꢀsurgeꢀ  
resistance  
2.ꢀMountedꢀonꢀ5.0x5.0mmꢀcopperꢀpadꢀtoꢀeachꢀterminal.  
3.ꢀMeasuredꢀonꢀ8.3msꢀsingleꢀhalfꢀsineꢀwaveꢀorꢀequivalentꢀsquareꢀwaveꢀforꢀunidirectionalꢀ  
deviceꢀonly.  
Applications  
Functional Diagram  
TVSꢀdevicesꢀareꢀidealꢀforꢀtheꢀprotectionꢀofꢀI/OꢀInterfaces,ꢀ  
VCCꢀbusꢀandꢀotherꢀvulnerableꢀcircuitsꢀusedꢀinꢀTelecom,ꢀ  
Computer,ꢀIndustrialꢀandꢀConsumerꢀelectronicꢀapplications.  
Cathode  
Anode  
Uni-directional  
©2016 Littelfuse, Inc.  
Specifications are subject to change without notice.  
Revised: 06/29/16  
12345

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