P4SMA550A-E

更新时间： 2024-11-01 13:12:07

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		二极管光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	144K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 468V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

P4SMA550A-E 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压：	577.5 V	最小击穿电压：	522.5 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AC
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	最大非重复峰值反向功率耗散：	400 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	3.3 W	参考标准：	IEC-61000-4-2; IEC-61000-4-4
最大重复峰值反向电压：	468 V	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

P4SMA550A-E 数据手册

Silicon Avalanche Diodes

400W Surface Mount Transient Voltage Supressors

RoHS

P4SMA Series

FEATURES

• RoHS compliant

• For surface mounted applications in order to optimize

board space

• Low profile package

• Built-in strain relief

• Glass passivated junction

• Low Inductance

• Excellent clamping capability

• Repetition Rate (duty cycle):0.01%

• Fast response time: typically less than 1.0ps from 0 Volts to

V(BR) for unidirectional types

• Typical IR less than 1µA above 10V

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

• High temperature soldering: 250˚C/10 seconds at terminals

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATION

@25˚C AMBIENT TEMPERATURE (unless otherw ise noted)

For Bidirectional use Suffix CA for types P4SMA6.8CA thru types

P4SMA550CA

PARAMETER

VALUE

SYMBOL

UNIT

Peak pulse power Dissipation on

10/1000µs waveform (Note 1.2,FIG.1)

Watts

Min

400

PPM

Electrical characteristics apply in both directions

Peak pulse current of on 10/1000µs

waveform (Note 1, FIG.3)

See Table 1

PPM

Amps

Agency Approvals: Recognized under the Components Program

of Underwriters Laboratories.

Peak Forward Surge Current,

8.3ms Single Half Sine-Wave

Superimposed on Rated Load,

(JEDEC Method)(Note2,3)

Agency File Numbers: E128667

FSM

ORDERING INFORMATION

Operating junction and Storage

Temperature Range

°C

-55 to +150

C A

P4SMA

j, sTG

Voltage

Notes:

1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above

Bi-Directional

5%Voltage Tolerance

T = 25˚C per Fig.2

2. Mounted on 5.0mm²(0.03mm thick) Copper Pads to each

terminal

3. 8.3ms single half sine-wave, or equivalent square wave,

Duty cycle = 4 pulses per minutes maximum

T = Tape and reeled (5000pcs)

Mechanical Specifications:

Weight:

Case:

0.002 ounce, 0.061 gram

JEDEC DO214AC. Molded plastic over

glass passivated junction

Any

Color band denoted positive end

(cathode) except Bidirectional

Solder plated, solderable per MIL-STD-

750, Method 2026

Mounting Position:

Polarity:

Terminal:

Standard Packaging: 12mm tape (EIA STD RS-481)

258

www. lit t elf us e. c om

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与P4SMA550A-E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
P4SMA550AF1	YANGJIE	获取价格	Rectifier Diode,
P4SMA550AF3	YANGJIE	获取价格	Rectifier Diode,
P4SMA550AF5	YANGJIE	获取价格	Rectifier Diode,
P4SMA550AF6	YANGJIE	获取价格	Rectifier Diode,
P4SMA550C	LITTELFUSE	获取价格	TVS DIODE 495V 798V DO214AC
P4SMA550CA	BOURNS	获取价格	Transient Voltage Suppressor Diode Series
P4SMA550CA	UNSEMI	获取价格	Surface Mount Transient Voltage Suppressors (TVS)
P4SMA550CA	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Avalanche Diodes - 400W Surface Mount Transient Voltage Supressors
P4SMA550CA	MDE	获取价格	GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
P4SMA550CA	dowosemi	获取价格	瞬态电压抑制二极管

与P4SMA550A-E相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

22
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

23
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

46
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

P4SMA550A-E

P4SMA550A-E 技术参数

P4SMA550A-E 数据手册

与P4SMA550A-E相关器件

与P4SMA550A-E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

P4SMA550A-E

P4SMA550A-E 技术参数

P4SMA550A-E 数据手册

与P4SMA550A-E相关器件

与P4SMA550A-E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？