Datasheet > P4SMA13A-E3/61

P4SMA13A-E3/61

更新时间： 2024-11-23 19:24:55

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网光电二极管电视
页数	文件大小	规格书
6页	96K
描述
DIODE 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN, Transient Suppressor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

P4SMA13A-E3/61 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214AC
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	1.03
Is Samacsys：	N	其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压：	13.7 V	最小击穿电压：	12.4 V
击穿电压标称值：	13 V	最大钳位电压：	18.2 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AC
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	400 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	3.3 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	11.1 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

P4SMA13A-E3/61 数据手册

P4SMA Series

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

Surface Mount TRANSZORB

Transient Voltage Suppressors

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Glass passivated chip junction

• Available in uni-directional and bi-directional

• 400 W peak pulse power capability with a

10/1000 μs waveform, repetitive rate

(duty cycle): 0.01 % (300 W above 91 V)

Available

• Excellent clamping capability

• Very fast response time

• Low incremental surge resistance

SMA (DO-214AC)

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak

of 260 °C

• AEC-Q101 qualified available

- Automotive ordering code: P/NHE3 or P/NHM3

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

PRIMARY CHARACTERISTICS

V_WM(uni-directional)

_WM(bi-directional)

_BR(uni-directional)

5.8 V to 459 V

TYPICAL APPLICATIONS

5.8 V to 185 V

6.8 V to 540 V

6.8 V to 220 V

400 W, 300 W

3.3 W

Use in sensitive electronics protection against voltage

transients induced by inductive load switching and lighting

on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units for consumer,

computer, industrial, and telecommunication.

_BR(bi-directional)

P_PPM

P_D

MECHANICAL DATA

I_FSM(uni-directional only)

40 A

Case: SMA (DO-214AC)

T_Jmax.

150 °C

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade

Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, commercial

grade

Polarity

Uni-directional, bi-directional

SMA (DO-214AC)

Package

Base P/NHE3_X - RoHS-compliant and AEC-Q101 qualified

Base P/NHM3_X - halogen-free, RoHS-compliant, and

AEC-Q101 qualified

(“_X” denotes revision code e.g. A, B, ..... and only available

for 250 V to 540 V type)

DEVICES FOR BI-DIRECTION APPLICATIONS

Terminals: matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

E3, M3, HE3, and HM3 suffix meets JESD 201 class 2

whisker test

For bi-directional devices use CA suffix (e.g. P4SMA10CA).

Electrical characteristics apply in both directions.

Polarity: for uni-directional types the band denotes cathode

end, no marking on bi-directional types

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

P_PPM

VALUE

400

UNIT

Peak power dissipation with a 10/1000 μs waveform ⁽¹⁾⁽²⁾(fig. 1)

Peak pulse current with a 10/1000 μs waveform ⁽¹⁾(fig. 3)

Power dissipation on infinite heatsink at T_A= 50 °C

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave uni-directional only ⁽²⁾

Operating junction and storage temperature range

I_PPM

See next table

3.3

P_D

I_FSM

T_J, T_STG

-65 to +150

°C

Notes

(1)

Non-repetitive current pulse, per fig. 3 and derated above T_A= 25 °C per fig. 2. Rating is 300 W above 91 V

Mounted on 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper pads to each terminal

(2)

Revision: 11-Jul-17

Document Number: 88367

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

P4SMA13A-E3/61 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
P4SMA13A-E3/5A	VISHAY	完全替代	TVS DIODE 11.1V 18.2V DO214AC
TPSMA13AHE3_A/H	VISHAY	完全替代	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 11.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
TPSMA13AHE3/61T	VISHAY	完全替代	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 11.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO

与P4SMA13A-E3/61相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
P4SMA13AHE3/5A	VISHAY	获取价格	TVS DIODE 11.1V 18.2V DO214AC
P4SMA13AHE3/61	VISHAY	获取价格	DIODE 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2
P4SMA13AHE3_A/H	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 11.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
P4SMA13AHE3_A/I	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 11.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
P4SMA13AHM3_A/H	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode,
P4SMA13AHM3_A/I	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode,
P4SMA13AQ	YANGJIE	获取价格	Surface Mount Transient Voltage Suppressor Diodes
P4SMA13A-Q	BOURNS	获取价格	Transient Suppressor,
P4SMA13A-Q1	ANBON	获取价格	SMA
P4SMA13AS	PANJIT	获取价格	SMA

与P4SMA13A-E3/61相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

35
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

27
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

55
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

P4SMA13A-E3/61

P4SMA13A-E3/61 技术参数

P4SMA13A-E3/61 数据手册

P4SMA13A-E3/61 替代型号

与P4SMA13A-E3/61相关器件

与P4SMA13A-E3/61相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

P4SMA13A-E3/61

P4SMA13A-E3/61 技术参数

P4SMA13A-E3/61 数据手册

P4SMA13A-E3/61 替代型号

与P4SMA13A-E3/61相关器件

与P4SMA13A-E3/61相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？