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P4KE82

更新时间: 2024-11-03 22:54:11
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德欧泰克 - DIOTEC 二极管
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4页 155K
描述
Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes

P4KE82 数据手册

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P4 KE 6.8 ... P4 KE 440CA  
Unidirectional and bidirectional  
Transient Voltage Suppressor Diodes  
Unidirektionale und bidirektionale  
Spannungs-Begrenzer-Dioden  
Peak pulse power dissipation  
Impuls-Verlustleistung  
400 W  
Nominal breakdown voltage  
Nominale Abbruch-Spannung  
6.8...440 V  
Plastic case – Kunststoffgehäuse  
Weight approx. – Gewicht ca.  
DO-15 (DO-204AC)  
0.4 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped in ammo pack  
see page 16  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
siehe Seite 16  
Dimensions / Maße in mm  
For bidirectional types (suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions.  
Für bidirektionale Dioden (Suffix “C” oder “CA”) gelten die el. Werte in beiden Richtungen.  
Maximum ratings and Characteristics  
Kenn- und Grenzwerte  
Peak pulse power dissipation (10/1000 s waveform)  
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 s)  
TA = 25C  
TA = 25C  
TA = 25C  
PPPM  
PM(AV)  
IFSM  
400 W 1)  
Steady state power dissipation  
Verlustleistung im Dauerbetrieb  
1 W 2)  
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle  
40 A 3)  
Max. instantaneous forward voltage  
IF = 25 A  
VBR 200 V  
VF  
VF  
< 3.0 V 3)  
< 6.5 V 3)  
Augenblickswert der Durchlaßspannung  
VBR > 200 V  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
– 50…+175C  
TS – 50…+175C  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
< 45 K/W 2)  
< 15 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
Thermal resistance junction to lead  
RthL  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht  
1
)
)
)
Non-repetitive current pulse see curve IPPM = f (tr)  
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Strom-Impulses, siehe Kurve IPPM = f (tr)  
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
2
3
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden  
1
07.01.2003  

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