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P4KE8.2T

更新时间： 2024-11-04 19:51:19

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
4页	186K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 7.02V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN

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P4KE8.2T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.12
其他特性：	LOW IMPEDANCE	最大击穿电压：	9.02 V
最小击穿电压：	7.38 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-204AL
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	最大非重复峰值反向功率耗散：	400 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	7.02 V
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

P4KE8.2T 数据手册

Silicon Avalanche Diodes

400W Axial Leaded Transient Voltage Supressors

RoHS

P4KE Series

FEATURES

• RoHS compliant

• Plastic package

• Glass passivated chip junction in DO-41 Package

• 400W surge capability at 10/1000 µs wave form

• Excellent clamping capability

• Low zener impedance

• Fast response time: typically less than 1.0ps from 0 Volts

to BV min.

• Typical IR less than 1µA above 10V

• (9.5mm) lead length, 5lbs., (2.3kg) tension

Agency Approvals: Recognized under the Components Program

of Underwriters Laboratories.

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

@25˚C AMBIENT TEMPERATURE (unless otherw ise noted)

Agency File Number: E128662

ORDERING INFORMATION

PARAMETER

VALUE

SYMBOL

UNIT

Peak Pulse Power Dissipation at

Min

400

Watts

PPM

C A

P4KE

Voltage

Bi-Directional

A=25˚C, P=1ms (note 1)

Steady State Power Dissipation at

T =75˚C, Lead lenghts .375”,

M(AV)

Watts

Amps

(9.5mm)(note2)

5% Voltage Tolerance

Packaging Option

Peak Forward Surge Current, 8.3ms

Single Half SIne Wave Superimposed

on Rated Load, (JEDEC Method)

(note 3)

FSM

B= Bulk (500 pcs)

T= Tape and reeled (5000 pcs)

°C

Operating junction and Storage

Temperature Range

-55 to +175

j, sTG

Notes:

1. Non-repetitive current pulse , per Fig. 3 and derated above

T =25˚C per Fig 2.

2. 8.3ms single half sine-wave , or equivalent square wave, Duty

cycle = 4 pulses per minutes maximum.

Mechanical Specifications:

Weight:

Case:

0.012ounce, 0.3 gram

JEDEC DO-41 Molded Plastic over

passivated junction

Mounting Position:

Polarity:

Any

Color band denotes cathode except

Bipolar

Terminal:

Plated Axial leads, solderable per

MIL-STD-750, Method 2026

282

w w w. l i t t e l f u s e . c o m

12 3 4

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与P4KE8.2T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
P4KE8.2-T	RECTRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 6.63V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
P4KE8.2-T3	SENSITRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 6.63V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
P4KE8.2-T3-LF	WTE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 6.63V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
P4KE8.2-TB-LF	WTE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 6.63V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
P4KE8.2-TP	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 7.02V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
P4KE8.2TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 6.63V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
P4KE8.2TRE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 6.63V V(RWM), Unidirectional,
P4KE8.2U06	RECTRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41
P4KE82	PANJIT	获取价格	GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR(VOLTAGE - 6.8 TO 440 Volts 400 Watt
P4KE82	BYTESONIC	获取价格	400 WATT PEAK POWER TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS

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