P4KE8.2-B

更新时间： 2024-11-04 13:12:07

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力特 - LITTELFUSE		二极管
页数	文件大小	规格书
5页	140K
描述
TVS DIODE

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P4KE8.2-B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-PALF-W2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	1.36	其他特性：	LOW IMPEDANCE
最大击穿电压：	9.02 V	最小击穿电压：	7.38 V
击穿电压标称值：	8.2 V	外壳连接：	ISOLATED
最大钳位电压：	12.1 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-204AL	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
最大非重复峰值反向功率耗散：	400 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	7.02 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

P4KE8.2-B 数据手册

TransientVoltage Suppression Diodes

Axial Leaded – 400W > P4KE series

RoHS

P4KE Series

Description

The P4KE Series is designed speciﬁcally to protect

sensitive electronic equipment from voltage transients

induced by lightning and other transient voltage events.

Features

tꢀ)BMPHFOꢁ'SFF

tꢀ -PXꢀJODSFNFOUBMꢀTVSHFꢀ

resistance

tꢀ 3P)4ꢀDPNQMJBOU

tꢀ 5ZQJDBMꢀ*_Rless than 1μA

above 13V

tꢀ 5ZQJDBMꢀNBYJNVNꢀ

temperature coefﬁcient

ΔV_BR= 0.1% x V_BR@25°C x ΔT tꢀ )JHIꢀUFNQFSBUVSFꢀ

soldering guaranteed:

Agency Approvals

tꢀ (MBTTꢀQBTTJWBUFEꢀDIJQꢀ

260°C/40 seconds /

0.375”,(9.5mm) lead

length, 5 lbs., (2.3kg)

tension

tꢀ 1MBTUJDꢀQBDLBHFꢀIBTꢀ

Underwriters Laboratory

Flammability classiﬁcation

94V-O

junction in DO-41 Package

AGENCY

AGENCY FILE NUMBER

E230531

tꢀ ꢂꢃꢃ8ꢀQFBLꢀQVMTFꢀ

capability at 10×1000μs

waveform, repetition rate

(duty cycles):0.01%

tꢀ 'BTUꢀSFTQPOTFꢀUJNFꢄꢀ

typically less than 1.0ps

from 0 Volts to BV min

Maximum Ratings andThermal Characteristics

(T_A=25^OC unless otherwise noted)

tꢀ .BUUFꢀ5JOꢀ-FBEoGSFFꢀQMBUFE

tꢀ &YDFMMFOUꢀDMBNQJOHꢀ

capability

Parameter

Symbol

P_PPM

Value

400

Unit

Peak Pulse Power Dissipation by

10x1000μs test waveform (Fig.1)

(Note 1)

Steady State Power Dissipation on

iniﬁnite heat sink atT_L=75ºC (Fig. 5)

Applications

P_D

1.5

TVS devices are ideal for the protection of I/O interfaces,

_CCbus and other vulnerable circuits used in telecom,

Peak Forward Surge Current, 8.3ms

Single Half Sine Wave Unidirectional

only (Note 2)

Maximum Instantaneous Forward

Voltage at 25A for Unidirectional

only (Note 3)

I_FSM

computer, industrial and consumer electronic applications.

V_F

3.5/5.0

Operating Junction and Storage

Temperature Range

T , T_STG-55 to 175

°C

TypicalThermal Resistance Junction

to Lead

R_uJL

R_uJA

°C/W

TypicalThermal Resistance Junction

to Ambient

100

Notes:

1. Non-repetitive current pulse , per Fig. 3 and derated aboveT_A= 25^OC per Fig. 2.

2. Measured on 8.3ms single half sine wave or equivalent square wave, duty cycle=4 per

minute maximum.

3. V_F<3.5V for devices of V_BR<_ 200V and V_F<5.0V for devices of V_BR>_ 201V.

Revision: January 09, 2009

P4KE Series

Speciﬁcations are subject to change without notice.

Please refer to http://www.Littelfuse.com/series/P4KE.html for current information.

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P4KE8.2-B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
P4KE8.2A-E3/73	VISHAY	功能相似	DIODE 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41,
P4KE8.2A-B	LITTELFUSE	功能相似	Transient Voltage Suppression Diodes
P4KE8.2A	LITTELFUSE	功能相似	Silicon Avalanche Diodes - 400W Axial Leaded Transient Voltage Supressors

与P4KE8.2-B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
P4KE8.2C	PANJIT	获取价格	GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR(VOLTAGE - 6.8 TO 440 Volts 400 Watt
P4KE8.2C	TRSYS	获取价格	GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
P4KE8.2C	CHENG-YI	获取价格	GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
P4KE8.2C	SEMTECH	获取价格	TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
P4KE8.2C	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 无卤素，且符合RoHS标准塑料封装 DO-41包装内有钝化玻璃芯片接合点
P4KE8.2C	COMCHIP	获取价格	400W Transient Voltage Suppressor
P4KE8.2C	HY	获取价格	GLASS PASSIVATED UNIDIRECTIONAL AND BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
P4KE8.2C	WTE	获取价格	400W TRANSIENT BOLTAGE SUPPRESSORS
P4KE8.2C	WON-TOP	获取价格	Axial
P4KE8.2C	LGE	获取价格	瞬态抑制二极管

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