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P4KE75A

更新时间: 2024-11-03 22:54:11
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 111K
描述
TRANSIENT ABSORPTION ZENER

P4KE75A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-41
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.13
Is Samacsys:N最大击穿电压:78.8 V
最小击穿电压:71.3 V击穿电压标称值:75 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:103 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-204AL
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:400 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.13 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:64.1 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

P4KE75A 数据手册

 浏览型号P4KE75A的Datasheet PDF文件第2页 

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Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 64.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO