P4KE36A-G

更新时间： 2024-11-04 11:57:43

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上华 - COMCHIP		瞬态抑制器二极管
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400W Transient Voltage Suppressor

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P4KE36A-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	击穿电压标称值：	36 V
最大钳位电压：	49.9 V	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-609代码：	e3	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大重复峰值反向电压：	30.8 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

P4KE36A-G 数据手册

400W Transient Voltage Suppressor

P4KE-G Series

Stand-off Voltage: 6.8 ~ 600V

Power Dissipation: 400 Watts

RoHS Device

DO-41

Features

-Glass passivated chip

-Low leakage

-Uni and Bidirection unit

0.033(0.84)

0.028(0.71)

DIA.

1.000(25.40)

MIN.

-Excellent clamping capability

-The plastic material has UL recognition 94V-0

-Fast response time: typically less than 1.0pS from

0 volts to BV min

0.205(5.21)

0.165(4.19)

0.117(2.97)

0.090(2.29)

DIA.

Mechanical Data

-Case: Molded plastic DO-41

1.000(25.40)

MIN.

-Polarity: By cathode band denotes unidirectional

device none cathode band denoted bi-directional

device

-Weight: 0.34 grams

Dimensions in inches and (millimeter)

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25°C ambient unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Symbol

Parameter

Value

Unit

Peak power dissipation a 10/1000μs waveform

PPP

400

(Note 1)

Peak pulse current with a 10/1000μs waveform

IPP

See Next Table

1.0

(Note 1)

Power dissipation on infinite heatsink at TL=75

Peak forward surge current, 8.3mS single

half sine-wave unidirectional only(Note 2)

IFSM

Maximum instantaneous forward voltage

at 25A for unidirectional only (Note 3)

3.5/5.0

Operating junction and storage temperature

range

^OC

TJ, TSTG

-55 to +150

NTOES:

(1) Non-repetitive current pulse, per fig.5 and derated above TA=25 ^OC per fig. 1.

(2) Measured on 8.3 ms single half sine-wave or equivalent square wave,duty cycle=4 pulses per minute maximum.

(3) VF<3.5V for devices of VBR<200V and VF<5.0V for devices of VBR>201V.

REV:B

Page 1

QW-BTV05

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P4KE36A-G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
P4KE36A	MICROSEMI	功能相似	TRANSIENT ABSORPTION ZENER

与P4KE36A-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
P4KE36A-GT3	SENSITRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 30.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
P4KE36AH01	RECTRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,
P4KE36AH02	RECTRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,
P4KE36AH02-3	RECTRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,
P4KE36AH02-4	RECTRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,
P4KE36AH03	RECTRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,
P4KE36AH03-2	RECTRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,
P4KE36AH03-3	RECTRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,
P4KE36AH03-4	RECTRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,
P4KE36AH04	RECTRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,

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