P4KE36A

更新时间： 2024-11-03 22:54:15

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力特 - LITTELFUSE		瞬态抑制器二极管 IOT 局域网
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4页	187K
描述
Silicon Avalanche Diodes - 400W Axial Leaded Transient Voltage Supressors

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P4KE36A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	1.36
其他特性：	UL RECOGNIZED	最大击穿电压：	37.8 V
最小击穿电压：	34.2 V	击穿电压标称值：	36 V
外壳连接：	ISOLATED	最大钳位电压：	49.9 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-204AL
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	最大非重复峰值反向功率耗散：	400 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	30.8 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

P4KE36A 数据手册

Silicon Avalanche Diodes

400W Axial Leaded Transient Voltage Supressors

RoHS

P4KE Series

FEATURES

• RoHS compliant

• Plastic package

• Glass passivated chip junction in DO-41 Package

• 400W surge capability at 10/1000 µs wave form

• Excellent clamping capability

• Low zener impedance

• Fast response time: typically less than 1.0ps from 0 Volts

to BV min.

• Typical IR less than 1µA above 10V

• (9.5mm) lead length, 5lbs., (2.3kg) tension

Agency Approvals: Recognized under the Components Program

of Underwriters Laboratories.

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

@25˚C AMBIENT TEMPERATURE (unless otherw ise noted)

Agency File Number: E128662

ORDERING INFORMATION

PARAMETER

VALUE

SYMBOL

UNIT

Peak Pulse Power Dissipation at

Min

400

Watts

PPM

C A

P4KE

Voltage

Bi-Directional

A=25˚C, P=1ms (note 1)

Steady State Power Dissipation at

T =75˚C, Lead lenghts .375”,

M(AV)

Watts

Amps

(9.5mm)(note2)

5% Voltage Tolerance

Packaging Option

Peak Forward Surge Current, 8.3ms

Single Half SIne Wave Superimposed

on Rated Load, (JEDEC Method)

(note 3)

FSM

B= Bulk (500 pcs)

T= Tape and reeled (5000 pcs)

°C

Operating junction and Storage

Temperature Range

-55 to +175

j, sTG

Notes:

1. Non-repetitive current pulse , per Fig. 3 and derated above

T =25˚C per Fig 2.

2. 8.3ms single half sine-wave , or equivalent square wave, Duty

cycle = 4 pulses per minutes maximum.

Mechanical Specifications:

Weight:

Case:

0.012ounce, 0.3 gram

JEDEC DO-41 Molded Plastic over

passivated junction

Mounting Position:

Polarity:

Any

Color band denotes cathode except

Bipolar

Terminal:

Plated Axial leads, solderable per

MIL-STD-750, Method 2026

282

w w w. l i t t e l f u s e . c o m

12 3 4

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P4KE36A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV1N6158A	MICROSEMI	功能相似	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANTXV1N6119A	MICROSEMI	功能相似	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANTX1N6158A	MICROSEMI	功能相似	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

与P4KE36A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
P4KE-36A	FCI	获取价格	6.8V to 400V GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
P4KE36A / CA	SWST	获取价格	瞬态电压抑制管
P4KE36A-AP	MCC	获取价格	暂无描述
P4KE36A-AT	YAGEO	获取价格	瞬态抑制二极管 (车用)
P4KE36AB	LITTELFUSE	获取价格	暂无描述
P4KE36A-B	LITTELFUSE	获取价格	Transient Voltage Suppression Diodes
P4KE36A-B	FRONTIER	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon
P4KE36A-B	RECTRON	获取价格	Transient Suppressor,
P4KE36A-BP	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 30.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
P4KE36A-BP-HF	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 30.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO

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