P4C167L-35LM

更新时间： 2024-01-01 19:51:16

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PYRAMID		存储内存集成电路静态存储器
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P4C167L-35LM 数据手册

P4C167

POWER DISSIPATION CHARACTERISTICS VS. SPEED

Temperature

Symbol

Parameter

Unit

–10 –12 –15 –20 –25 –35 –45

180 170 160 155 150 N/A N/A

Range

Commercial

Dynamic Operating Current*

I_CC

N/A 180 170 160 155 150 N/A mA

N/A N/A 170 160 155 150 145 mA

Industrial

Military

*V_CC= 5.5V. Tested with outputs open. f = Max. Switching inputs are 0V and 3V. CE = V_IL.

DATA RETENTION CHARACTERISTICS (P4C167L Military Temperature Only)

Typ.*

2.0V^CC3.0V

Max

2.0V ^CC3.0V

Symbol

Parameter

Test Conditons

Min

Unit

V_DR

V_CCfor Data Retention

Data Retention Current

2.0

I_CCDR

t_CDR

600

900

µA

CE ≥ V_CC–0.2V,

V_IN≥ V_CC–0.2V

or V_IN≤ 0.2V

Chip Deselect to

Data Retention Time

†

t_RC

t_R

Operation Recovery Time

*T_A= +25¹C

§t_RC= Read Cycle Time

^†This parameter is guaranteed but not tested.

DATA RETENTION WAVEFORM

Document # SRAM106 REV A

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