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P4C164-100LMB PDF预览

P4C164-100LMB

更新时间： 2024-10-26 20:49:39
品牌 Logo 应用领域
PYRAMID 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 1095K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, CQCC28, 0.350 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-28

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P4C164-100LMB 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：QLCC
包装说明：QCCN, LCC28,.35X.55针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.01
Is Samacsys：N最长访问时间：100 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-CQCC-N28
JESD-609代码：e0长度：13.97 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：8192 words
字数代码：8000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：8KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：QCCN
封装等效代码：LCC28,.35X.55封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：MIL-STD-883
座面最大高度：1.905 mm最大待机电流：0.025 A
最小待机电流：4.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.145 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：TIN LEAD
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：8.89 mmBase Number Matches：1

P4C164-100LMB 数据手册

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P4C164  
ULTRA HIGH SPEED 8K X 8  
STATIC CMOS RAMS  
FEATURES  
Full CMOS, 6T Cell  
Common Data I/O  
ꢀ
High Speed (Equal Access and Cycle Times)  
– 8/10/12/15/20/25/35/70/100 ns (Commercial)  
– 10/12/15/20/25/35/70/100 ns(Industrial)  
– 12/15/20/25/35/45/70/100 ns (Military)  
Fully TTL Compatible Inputs and Outputs  
ꢀ
Standard Pinout (JEDEC Approved)  
– 28-Pin 300 mil Plastic DIP, SOJ  
– 28-Pin 600 mil Plastic DIP  
– 28-Pin 300 mil SOP (70 & 100ns)  
– 28-Pin 300 mil Ceramic DIP  
– 28-Pin 600 mil Ceramic DIP  
– 28-Pin 350 x 550 mil LCC  
– 32-Pin 450 x 550 mil LCC  
– 28-Pin CERPACK  
Low Power Operation  
Output Enable and Dual Chip Enable Control  
Functions  
Single 5V±10% Power Supply  
Data Retention with 2.0V Supply, 10 µA Typical  
Current (P4C164L Military)  
DESCRIPTIOꢀ  
The P4C164 is a 65,536-bit ultra high-speed static RAM  
organizedas8Kx8.TheCMOSmemoryrequiresnoclocks  
orrefreshingandhasequalaccessandcycletimes. Inputs  
are fullyTTL-compatible. The RAM operates from a single  
5V±10%tolerancepowersupply. Withbatterybackup,data  
integrity is maintained with supply voltages down to 2.0V.  
Current drain is typically 10 µA from a 2.0V supply.  
Access times as fast as 8 nanoseconds are available,  
permitting greatly enhanced system operating speeds.  
The P4C164 is available in 28-pin 300 mil DIP and SOJ,  
28-pin600milplasticandceramicDIP,28-pin350x550mil  
LCC, 32-pin 450 x 550 mil LCC, and 28-pin CERPACK.  
FUꢀCTIOꢀAL BLOCK DIAꢁRAM  
PIꢀ COꢀFIꢁURATIOꢀS  
DIP (P5, P6, C5, C5-1, D5-1, D5-2),  
SOJ (J5), CERPACK (F4), SOP (S6)  
SEE PAGE 8 FOR LCC PIN CONFIGURATIONS  
Document # SRAM115 REV G  
Revised September 2010  
1234567...16

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P4C164-100LMBLF PYRAMID

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 		Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, CQCC28, 0.350 X 0.550 INCH, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, LCC
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 		Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, CQCC28, 0.350 X 0.550 INCH, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, LCC
P4C164-100P6C PYRAMID

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 		Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
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