P4C163-25CMB

更新时间： 2024-11-20 04:35:31

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PYRAMID		存储内存集成电路静态存储器
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12页	322K
描述
ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS

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P4C163-25CMB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP28,.3	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.11
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	25 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	36.449 mm
内存密度：	73728 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	9	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	8KX9	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883 Class B
座面最大高度：	5.715 mm	最大待机电流：	0.02 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.145 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

P4C163-25CMB 数据手册

P4C163/P4C163L

ULTRA HIGH SPEED 8K x 9

STATIC CMOS RAMS

FEATURES

Data Retention with 2.0V Supply, 10 µA Typical

Current (P4C163L Military)

Full CMOS, 6T Cell

High Speed (Equal Access and Cycle Times)

– 25/35ns (Commercial)

Common I/O

– 25/35/45ns (Military)

Fully TTL Compatible Inputs and Outputs

Low Power Operation (Commercial/Military)

Standard Pinout (JEDEC Approved)

– 28-Pin 300 mil DIP, SOJ

– 28-Pin 350 x 550 mil LCC

– 28-Pin CERPACK

Output Enable and Dual Chip Enable Control

Functions

Single 5V±10% Power Supply

DESCRIPTION

Accesstimesasfastas25nanosecondsareavailable,per-

mittinggreatlyenhancedsystemoperatingspeeds.CMOS

is used to reduce power consumption in both active and

standbymodes.

TheP4C163andP4C163Lare73,728-bitultrahigh-speed

staticRAMsorganizedas8Kx9.TheCMOSmemoriesre-

quire no clocks or refreshing and have equal access and

cycle times. Inputs are fully TTL-compatible. The RAMs

operate from a single 5V±10% tolerance power supply.

Withbatterybackup,dataintegrityismaintainedforsupply

voltages down to 2.0V. Current drain is 10 µA from a 2.0V

supply.

The P4C163 and P4C163L are available in 28-pin 300 mil

DIP and SOJ, 28-pin 350 x 550 mil LCC, and 28-pin

CERPACKpackagesprovidingexcellentboardleveldensi-

ties.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

PIN CONFIGURATIONS

DIP (P5, C5), SOJ (J5)

CERPACK (F4) SIMILAR

LCC (L5)

Document # SRAM120 REV C

Revised August 2006

12 3 4 5 6 7...12

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P4C163-25DM	ETC	获取价格	x9 SRAM
P4C163-25DMB	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, CDIP28, CERDIP-28
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