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P4C1256L-20SSILF

更新时间： 2024-01-19 00:54:16

品牌	Logo	应用领域
PYRAMID		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	1155K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-28

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P4C1256L-20SSILF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP,
针数：	28	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.56	最长访问时间：	20 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	JESD-609代码：	e3
长度：	17.9324 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.794 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.5057 mm
Base Number Matches：	1

P4C1256L-20SSILF 数据手册

P4C1256 - HIGH SPEED 32K X 8 STATIC CMOS RAM

TIMIꢀꢁ WAVEFORM OF WRITE CYCLE ꢀO. 2 (CE COꢀTROLLED)⁽¹⁰⁾

AC TEST COꢀDITIOꢀS

Input Pulse Levels

TRUTH TABLE

GND to 3.0V

Mode

I/O

Power

Standby

Active

Input Rise and Fall Times

Input Timing Reference Level

Output Timing Reference Level

Output Load

3ns

1.5V

Standby

D_OUTDisabled

Read

High Z

D_OUT

1.5V

Active

See Figures 1 and 2

Write

High Z

Active

Figure 1. Output Load

Figure 2. Thevenin Equivalent

* including scope and test ﬁxture.

ꢀote:

Becauseoftheultra-highspeedoftheP4C1256,caremustbetakenwhen

testing this device; an inadequate setup can cause a normal function-

ing part to be rejected as faulty. Long high-inductance leads that cause

supply bounce must be avoided by bringing the V_CCand ground planes

directly up to the contactor ﬁngers. A 0.01 µF high frequency capacitor

is also required between V_CCand ground. To avoid signal reﬂections,

proper termination must be used; for example, a 50Ω test environment

should be terminated into a 50Ω load with 1.73V (Thevenin Voltage) at

the comparator input, and a 116Ω resistor must be used in series with

D_OUTto match 166Ω (Thevenin Resistance).

Document # SRAM119 REV I

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