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P4C1256L-25DWCLF

更新时间： 2024-02-14 05:29:05

品牌	Logo	应用领域
PYRAMID		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	1155K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, DIP-28

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P4C1256L-25DWCLF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP,
针数：	28	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.56	最长访问时间：	25 ns
JESD-30 代码：	R-GDIP-T28	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX8
封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.715 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

P4C1256L-25DWCLF 数据手册

P4C1256

HIGH SPEED 32K x 8

STATIC CMOS RAM

FEATURES

High Speed (Equal Access and Cycle Times)

– 12/15/20/25/35 ns (Commercial)

– 15/20/25/35/45 ns (Industrial)

– 20/25/35/45/55/70 ns (Military)

Low Power

Single 5V±10% Power Supply

Easy Memory Expansion Using CE and OE Inputs

Common Data I/O

Fast t_OE

Automatic Power Down

Packages

– 28-Pin 300 mil DIP, SOJ, TSOP

– 28-Pin 300 mil Ceramic DIP

– 28-Pin 600 mil Plastic and Ceramic DIP

– 28-Pin CERPACK

– 28-Pin Solder Seal Flat Pack

– 28-Pin SOP

Three-State Outputs

Fully TTL Compatible Inputs and Outputs

ꢀ Advanced CMOS Technology

– 28-Pin LCC (350 mil x 550 mil)

– 32-Pin LCC (450 mil x 550 mil)

DESCRIPTIOꢀ

The P4C1256 is a 262,144-bit high-speed CMOS static

RAM organized as 32K x 8. The CMOS memory requires

no clocks or refreshing, and has equal access and cycle

times. InputsarefullyTTL-compatible. TheRAMoperates

from a single 5V±10% tolerance power supply.

with matching access and cycle times. Memory locations

are speciﬁed on address pinsA₀toA₁₄. Reading is accom-

plished by device selection (CE) and output enabling (OE)

while write enable (WE) remains HIGH. By presenting the

address under these conditions, the data in the addressed

memorylocationispresentedonthedatainput/outputpins.

The input/output pins stay in the HIGH Z state when either

CE or OE is HIGH or WE is LOW.

Access times as fast as 12 nanoseconds permit greatly

enhanced system operating speeds. CMOS is utilized to

reduce power consumption to a low level. The P4C1256

is a member of a family of PACE RAM™ products offering

fast access times.

PackageoptionsfortheP4C1256include28-pinDIP,SOJ,

and TSOP packages. For military temperature range,

Ceramic DIP and LCC packages are available.

The P4C1256 devices provides asynchronous operation

FUꢀCTIOꢀAL BLOCK DIAꢁRAM

PIꢀ COꢀFIꢁURATIOꢀS

DIP (P5, P6, C5, C5-1, D5-1, D5-2), SOJ (J5), SOP (S11-1, S11-3)

CERPACK (F4, FS-5) SIMILAR

LCC and TSOP conﬁgurations at end of datasheet

Document # SRAM119 REV I

Revised July 2010

12 3 4 5 6 7...16

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