P4C1256-12PMLF

更新时间： 2024-11-18 05:25:55

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PYRAMID		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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描述
HIGH SPEED 32K x 8 STATIC CMOS RAM

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P4C1256-12PMLF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP,
针数：	28	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.56	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	12 ns	JESD-30 代码：	R-PDIP-T28
JESD-609代码：	e3	长度：	34.8615 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.334 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

P4C1256-12PMLF 数据手册

P4C1256

HIGH SPEED 32K x 8

STATIC CMOS RAM

FEATURES

Fully TTL Compatible Inputs and Outputs

Advanced CMOS Technology

Fast t_OE

Automatic Power Down

Packages

High Speed (Equal Access and Cycle Times)

— 12/15/20/25/35 ns (Commercial)

— 15/20/25/35/45 ns (Industrial)

— 20/25/35/45/55/70 ns (Military)

Low Power

—28-Pin 300 mil DIP, SOJ, TSOP

—28-Pin 300 mil Ceramic DIP

—28-Pin 600 mil Ceramic DIP

—28-Pin CERPACK

—28-Pin SOP

—28-Pin LCC (350 mil x 550 mil)

—32-Pin LCC (450 mil x 550 mil)

Single 5V±10% Power Supply

Easy Memory Expansion Using CE and OE

Inputs

Common Data I/O

Three-State Outputs

DESCRIPTION

The P4C1256 device provides asynchronous operation

with matching access and cycle times. Memory loca-

tions are specified on address pins A₀to A₁₄. Reading

is accomplished by device selection (CE and output

enabling (OE) while write enable (WE) remains HIGH.

By presenting the address under these conditions, the

data in the addressed memory location is presented on

the data input/output pins. The input/output pins stay

in the HIGH Z state when either CE or OE is HIGH or

WE is LOW.

The P4C1256 is a 262,144-bit high-speed CMOS

static RAM organized as 32Kx8. The CMOS memory

requires no clocks or refreshing, and has equal access

and cycle times. Inputs are fully TTL-compatible. The

RAM operates from a single 5V±10% tolerance power

supply.

Access times as fast as 12 nanoseconds permit greatly

enhanced system operating speeds. CMOS is utilized

to reduce power consumption to a low level. The

P4C1256 is a member of a family of PACE RAM™ prod-

ucts offering fast access times.

Package options for the P4C1256 include 28-pin 300

mil DIP, SOJ and TSOP packages. For military tempera-

ture range, Ceramic DIP and LCC packages are avail-

able.

PIN CONFIGURATIONS

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

DIP (P5, C5, C5-1, D5-2), SOJ (J5), SOP (S11-1, S11-3)

CERPACK (F4) SIMILAR

1519B

See end of datasheet for LCC and TSOP

pin configurations.

Document # SRAM119 REV G

Revised June 2007

12 3 4 5 6 7...17

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