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P4C1024-55C6M

更新时间： 2024-01-09 14:05:36

品牌	Logo	应用领域
PYRAMID		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	923K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

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P4C1024-55C6M 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.09
最长访问时间：	55 ns	JESD-30 代码：	R-CDIP-T32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	128KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.715 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15.24 mm

P4C1024-55C6M 数据手册

P4C1024

POWER DISSIPATION CHARACTERISTICS VS. SPEED

Temperature

Range

Symbol

Parameter

-15 -20 -25 -35 -45 -55 -70 -85 -100 -120 Unit

Commercial

190 160 150 145 N/A N/A N/A N/A N/A N/A mA

N/A 175 165 160 155 N/A N/A N/A N/A N/A mA

N/A 150 140 135 130 125 115 110 105 100 mA

Dynamic

Operating

Current*

I_CC

Industrial

Military

*V_CC= 5.5V. Tested with outputs open. f = Max. Switching inputs are 0V and 3V. CE₁= V_IL, CE₂= V_IH, OE = V_IH

DATA RETENTION CHARACTERISTICS (P4C1024L, Military Temperature Only)

Typ.*

V_CC=

2.0V

Max

V_CC=

2.0V

Symbol

Parameter

Test Condition

Min

Unit

3.0V

V_DR

V_CCfor Data Retention

Data Retention Current

2.0

I_CCDR

200

400

600

µA

CE₁≥ V_CC– 0.2V or

CE₂≤ 0.2V, V_IN≥ V_CC– 0.2V

or V_IN≤ 0.2V

t_CDR

Chip Deselect to

Data Retention Time

Operation Recovery Time

†

t_R

t_RC

*T_A= +25°C

t_RC= Read Cycle Time

†

This parameter is guaranteed but not tested.

DATA RETENTION WAVEFORM

Document # SRAM124 REV C

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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