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P4C1024-55C6M

更新时间： 2024-02-17 12:52:58

品牌	Logo	应用领域
PYRAMID		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	923K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

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P4C1024-55C6M 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.09
最长访问时间：	55 ns	JESD-30 代码：	R-CDIP-T32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	128KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.715 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15.24 mm

P4C1024

REVISIONS

DOCUMENT NUMBER:

DOCUMENT TITLE:

SRAM124

P4C1024 HIGH SPEED 128K x 8 DꢁAL CHIP ENABLE CMOS STATIC RAM

ORIG. OF

CHANGE

ISSUE

REV.

DESCRIPTION OF CHANGE

DATE

1997

DAB

New Data Sheet

Oct-05

Jan-11

Dec-11

JDB

Change logo to Pyramid

Added L1 package, corrected data retention table

Removed Selection Guide, combined commercial and industrial temps in

features section

Document # SRAM124 REV C

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
P4C1024-55CJMB	PYRAMID	Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32	获取价格
P4C1024-55FM	PYRAMID	Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CDFP32, CERPACK-32	获取价格
P4C1024-55L32M	PYRAMID	Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, HERMETIC SEALED, LCC-32	获取价格
P4C1024-55L32MB	PYRAMID	Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, HERMETIC SEALED, LCC-32	获取价格
P4C1024-70C6M	PYRAMID	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32	获取价格
P4C1024-70C6MB	PYRAMID	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32	获取价格