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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP20,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 300 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T20 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 4096 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 端子数量： | 20 | 字数： | 1024 words |
| 字数代码： | 1000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP20,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | SRAMs |
| 表面贴装： | NO | 技术： | MOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P21464-06 | INTEL |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 64KX4, 60ns, MOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 |
|
| P21464-07 | INTEL |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 64KX4, 70ns, MOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 |
|
| P21464-08 | ETC |
获取价格 |
x4 Page Mode DRAM |
|
| P21464-10 | INTEL |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 64KX4, 100ns, MOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 |
|
| P21464-12 | ETC |
获取价格 |
x4 Page Mode DRAM |
|
| P21464-15 | INTEL |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 64KX4, 150ns, MOS, PDIP18 |
|
| P2148H | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM |
|
| P2148H2 | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM |
|
| P2148H-2 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| P2148H3 | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM |
|
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