5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP18,.3 | 针数： | 18 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.69 |
| 访问模式： | PAGE | 最长访问时间： | 100 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T18 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 22.95 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | PAGE MODE DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 18 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP18,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 256 | 座面最大高度： | 3.906 mm |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.055 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | MOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P21464-12 | ETC |
获取价格 |
x4 Page Mode DRAM |
|
| P21464-15 | INTEL |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 64KX4, 150ns, MOS, PDIP18 |
|
| P2148H | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM |
|
| P2148H2 | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM |
|
| P2148H-2 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| P2148H3 | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM |
|
| P2148H-3 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| P2148HL | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| P2148HL-3 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| P2149H | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
