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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP18,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 350 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T18 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1024 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 4 | 端子数量： | 18 |
| 字数： | 256 words | 字数代码： | 256 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256X4 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP18,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | SRAMs | 表面贴装： | NO |
| 技术： | MOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P2111A-2 | INTEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X4, 250ns, MOS, PDIP18 |
|
| P2111A-4 | INTEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X4, 450ns, MOS, PDIP18 |
|
| P2112A-2 | INTEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X4, 250ns, MOS, PDIP16 |
|
| P2112A-4 | INTEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X4, 450ns, MOS, PDIP16 |
|
| P2114AL2 | INTEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 120ns, MOS, PDIP18, |
|
| P2114L | INTEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 450ns, MOS, PDIP18 |
|
| P211K | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR MODULE|SCR ASSEMBLY |
|
| P211KW | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR MODULE|BRIDGE|HALF-CNTLD|50A I(T) |
|
| P211W | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR MODULE|SCR ASSEMBLY |
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| P212 | Narda-ATM |
获取价格 |
2WAY - 4WAY - 8WAY POWER DIVIDERS & COMBINERS |
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