5秒后页面跳转
P2112A-4 PDF预览

P2112A-4

更新时间: 2024-09-29 21:20:59
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 269K
描述
Standard SRAM, 256X4, 450ns, MOS, PDIP16

P2112A-4 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.91最长访问时间:450 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T16JESD-609代码:e0
内存密度:1024 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4端子数量:16
字数:256 words字数代码:256
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256X4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP16,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs表面贴装:NO
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

P2112A-4 数据手册

 浏览型号P2112A-4的Datasheet PDF文件第2页浏览型号P2112A-4的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P2112A-4的Datasheet PDF文件第4页浏览型号P2112A-4的Datasheet PDF文件第5页 

与P2112A-4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P2114AL2 INTEL

获取价格

Standard SRAM, 1KX4, 120ns, MOS, PDIP18,
P2114L INTEL

获取价格

Standard SRAM, 1KX4, 450ns, MOS, PDIP18
P211K ETC

获取价格

THYRISTOR MODULE|SCR ASSEMBLY
P211KW ETC

获取价格

THYRISTOR MODULE|BRIDGE|HALF-CNTLD|50A I(T)
P211W ETC

获取价格

THYRISTOR MODULE|SCR ASSEMBLY
P212 Narda-ATM

获取价格

2WAY - 4WAY - 8WAY POWER DIVIDERS & COMBINERS
P212-025.00M CONNOR-WINFIELD

获取价格

LVPECL Output Clock Oscillator, 25MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAG
P212-100.0M CONNOR-WINFIELD

获取价格

OSC XO 100.000MHZ LVPECL SMD
P212-125.0M CONNOR-WINFIELD

获取价格

OSC XO 125.000MHZ LVPECL SMD
P212-155.52 CONNOR-WINFIELD

获取价格

5.0x7.0mm Surface Mount LVPECL Clock Oscillator Series