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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P21014-10 | ETC |
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x4 Fast Page Mode DRAM |
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| P2101A | INTEL |
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Standard SRAM, 256X4, 350ns, MOS, PDIP22, |
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| P2101A-2 | INTEL |
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Standard SRAM, 256X4, 250ns, MOS, PDIP22, |
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| P2101A-4 | INTEL |
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Standard SRAM, 256X4, 450ns, MOS, PDIP22, |
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| P2102 | Narda-ATM |
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PHASE SHIFTERS |
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| P2102-28 | Narda-ATM |
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OUT LINE, 360 PHASESHIFTER, MOTORDRIVE |
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| P2102A | INTEL |
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Standard SRAM, 1KX1, 350ns, MOS, PDIP16 |
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| P2102A-2 | INTEL |
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Standard SRAM, 1KX1, 250ns, MOS, PDIP16 |
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| P2102A-4 | INTEL |
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Standard SRAM, 1KX1, 450ns, MOS, PDIP16 |
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| P2102AA61AP | TECCOR |
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SIDACtor devices |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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