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P2102A-4

更新时间: 2024-11-16 20:49:19
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英特尔 - INTEL 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 233K
描述
Standard SRAM, 1KX1, 450ns, MOS, PDIP16

P2102A-4 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82最长访问时间:450 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDIP-T16
JESD-609代码:e0内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
端子数量:16字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified子类别:SRAMs
表面贴装:NO技术:MOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

P2102A-4 数据手册

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