5秒后页面跳转
P095RH10F2K PDF预览

P095RH10F2K

更新时间: 2024-09-21 13:23:59
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 260K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element

P095RH10F2K 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY标称电路换相断开时间:40 µs
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us
最大直流栅极触发电流:200 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大维持电流:600 mAJESD-30 代码:O-MUPM-H3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:175 A重复峰值关态漏电流最大值:20000 µA
断态重复峰值电压:1000 V重复峰值反向电压:1000 V
表面贴装:NO端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

P095RH10F2K 数据手册

 浏览型号P095RH10F2K的Datasheet PDF文件第2页 

与P095RH10F2K相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P095RH10F2KO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element
P095RH10FG IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element
P095RH10FG0 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175000mA I(T), 1000V V(DRM)
P095RH10FH IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element
P095RH10FH0 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),175A I(T),TO-208VAR1
P095RH10FHO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element
P095RH10FJ IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element
P095RH10FJ0 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175000mA I(T), 1000V V(DRM)
P095RH10FJO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175 A, 1000 V, SCR
P095RH12C2KO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element