5秒后页面跳转
P027RH02DJO PDF预览

P027RH02DJO

更新时间: 2024-02-15 15:00:18
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 257K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element

P027RH02DJO 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.84
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:100 mAJESD-30 代码:O-MUPM-H3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:100 A断态重复峰值电压:200 V
重复峰值反向电压:200 V表面贴装:NO
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
触发设备类型:SCR

P027RH02DJO 数据手册

 浏览型号P027RH02DJO的Datasheet PDF文件第2页 

与P027RH02DJO相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P027RH02DK IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-65
P027RH02DL0 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),100A I(T),TO-208AC
P027RH02DM IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 100 A, 200 V, SCR, TO-65
P027RH02DMO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element
P027RH02DN IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-65
P027RH02DN0 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 100000mA I(T), 200V V(DRM)
P027RH02EG0 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 100000mA I(T), 200V V(DRM)
P027RH02EH IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-65
P027RH02EH0 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),100A I(T),TO-208AC
P027RH02EJ IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 100 A, 200 V, SCR, TO-65