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P0273SC12D

更新时间： 2024-11-09 20:56:23
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
12页 1470K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 355000mA I(T), 1200V V(DRM),

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P0273SC12D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.19标称电路换相断开时间：20 µs
关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us最大直流栅极触发电流：200 mA
最大直流栅极触发电压：3 V最大维持电流：600 mA
最大漏电流：30 mA通态非重复峰值电流：3575 A
最大通态电流：355000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C断态重复峰值电压：1200 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

P0273SC12D 数据手册

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Date:- 03 August 2012  
Data Sheet Issue:- K1  
Fast Turn-off Thyristor  
Type P0273SC12#  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
1200  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
V
V
V
V
1200  
1200  
1300  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
MAXIMUM  
LIMITS  
273  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
ITSM2  
I2t  
Mean on-state current, Tsink=55°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Nominal RMS on-state current, Tsink=25°C, (note 2)  
D.C. on-state current, Tsink=25°C, (note 4)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM≤10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM≤10V, (note 5)  
Maximum rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)  
Maximum rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)  
Peak forward gate voltage  
A
A
175  
355  
A
355  
A
3250  
3575  
52.8×103  
63.9×103  
500  
A
A
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
I2t  
(di/dt)cr  
1000  
12  
VFGM  
IFGM  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
VGD  
Peak forward gate current  
18  
A
Peak reverse gate voltage  
5
V
Mean forward gate power  
1.5  
W
W
V
Peak forward gate power (100µs pulse width)  
Non-trigger gate voltage, (Note 7)  
60  
0.25  
THS  
Operating temperature range  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
6) VD=80% VDRM, IFG=1A, tr≤1µs, Tcase=125°C.  
7) Rated VDRM  
.
Data Sheet. Type P0273SC12# Issue K1  
Page 1 of 12  
August 2012  
1234567...12

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与P0273SC12D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P0273SC12E IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 355000mA I(T), 1200V V(DRM),
P0273SC12F IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 355000mA I(T), 1200V V(DRM),
P0273SD10D LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 355A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element
P0273SD10E LITTELFUSE

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 355 A, 1000 V, SCR
P0273SD10F LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 355 A, 1000 V, SCR
P0273SD12D LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 355A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,
P0273SD12E LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 355A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,
P0273SD12F IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 355A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element
P027PH02CL IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 100 A, 200 V, SCR
P027PH02CLO IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 100 A, 200 V, SCR

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