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P0102MA5AL3

更新时间： 2024-11-09 14:35:11

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
5页	77K
描述
0.8A, 600V, SCR, TO-92

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P0102MA5AL3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.63	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	0.2 mA	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	0.8 A
断态重复峰值电压：	600 V	重复峰值反向电压：	600 V
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

P0102MA5AL3 数据手册

P01xxxA

SENSITIVE SCR

FEATURES

I_T(RMS)= 0.8A

V_DRM/ V_RRM= 200V to 600V

DESCRIPTION

High performance planar technology. These parts

are intended for general purpose applications

where low gate sensitivity is required.

TO92

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

I_T(RMS)

I_T(AV)

Parameter

Value

0.8

0.5

Unit

RMS on-state current (180° conduction angle)

Mean on-state current (180° conduction angle)

TI= 55°C

I_TSM

Non repetitive surge peak on-state current

(T_jinitial = 25°C )

tp = 8.3 ms

tp = 10 ms

I²t

I²t Value for fusing

0.24

A²s

dI/dt

Critical rate of rise of on-state current

A/µs

I_G= 10 mA

di_G/dt = 0.1 A/µs.

T_stg

T_j

Storage temperature range

Operating junction temperature range

- 40, + 150

- 40, + 125

°C

Maximum lead temperature for soldering during 10s

(at 2.0mm from case)

260

Voltage

Symbol

Parameter

Unit

V_DRM

V_RRM

Repetitive peak off-state voltage

T_j= 125°C R_GK= 1K

200

400

600

March 2000 - Ed: 1A

1/3

12 3 4 5

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