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OPA832ID

更新时间： 2024-02-25 06:07:36
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BB 缓冲放大器
页数 文件大小 规格书
26页 468K
描述
Low-Power, Single-Supply, Fixed-Gain Video Buffer Amplifier

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OPA832ID 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP,
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.33.00.01
风险等级：5.69Is Samacsys：N
其他特性：IT CAN ALSO OPERATE WITH 2.8V TO 11V SINGLE SUPPLY商用集成电路类型：VIDEO AMPLIFIER
JESD-30 代码：R-PDSO-G8长度：4.9 mm
信道数量：1功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.4 V
表面贴装：YES技术：BIPOLAR
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

OPA832ID 数据手册

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www.ti.com  
SBOS266B − JUNE 2003 − REVISED SEPTEMBER 2004  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: V = +5V  
S
Boldface limits are tested at +25°C.  
At T = 25°C, G = +2, and R = 150Ω to V = 2V, unless otherwise noted (see Figure 1).  
CM  
A
L
OPA832ID, IDBV  
TYP  
MIN/MAX OVER TEMPERATURE  
0°C to  
70°C  
−40°C to  
+85°C  
MIN/  
MAX  
TEST  
LEVEL  
(2)  
(2)  
(1)  
(3)  
+25°C  
+25°C  
PARAMETER  
CONDITIONS  
UNITS  
AC PERFORMANCE (see Figure 1)  
Small-Signal Bandwidth  
G = +2, V ≤ 0.5V  
92  
103  
4.2  
348  
4.3  
4.6  
4.6  
56  
60  
55  
58  
55  
58  
MHz  
MHz  
dB  
min  
min  
typ  
B
B
C
B
B
B
B
O
PP  
PP  
G = −1, V ≤ 0.5V  
O
Peaking at a Gain of +1  
Slew Rate  
V ≤ 0.5V  
O PP  
G = +2, 2V Step  
0.5V Step  
230  
223  
223  
V/µs  
ns  
min  
max  
max  
max  
Rise Time  
Fall Time  
0.5V Step  
ns  
Settling Time to 0.1%  
Harmonic Distortion  
2nd-Harmonic  
G = +2, 1V Step  
ns  
V
O
= 2V , 5MHz  
PP  
R
L
R
L
R
L
R
L
= 150Ω  
= 500Ω  
= 150Ω  
= 500Ω  
−59  
−62  
−56  
−72  
9.3  
−56  
−59  
−50  
−65  
−56  
−59  
−49  
−62  
−55  
−59  
−47  
−58  
dBc  
dBc  
max  
max  
max  
max  
max  
max  
typ  
B
B
B
B
B
B
C
C
3rd-Harmonic  
dBc  
dBc  
Input Voltage Noise  
f > 1MHz  
f > 1MHz  
nV/√Hz  
pA/√Hz  
%
Input Current Noise  
2.3  
NTSC Differential Gain  
NTSC Differential Phase  
R
= 150Ω  
= 150Ω  
0.11  
0.14  
L
L
R
°
typ  
(4)  
DC PERFORMANCE  
Gain Error  
G = +2  
G = −1  
0.3  
0.2  
1.5  
1.5  
1.6  
1.6  
460  
340  
0.1  
6
1.7  
1.7  
462  
338  
0.1  
6.5  
20  
%
%
min  
max  
max  
max  
max  
max  
max  
max  
max  
max  
max  
A
B
A
A
B
A
B
A
B
A
B
Internal R and R , Maximum  
400  
400  
455  
345  
Ω
Ω
%/°C  
mV  
F
G
Minimum  
Average Drift  
Input Offset Voltage  
Average Offset Voltage Drift  
Input Bias Current  
0.5  
—
5
+10  
1.5  
20  
µV/°C  
µA  
nA/°C  
µA  
V
= 2.0V  
5.5  
+12  
12  
+13  
12  
CM  
Input Bias Current Drift  
Input Offset Current  
Input Offset Current Drift  
INPUT  
V
= 2.0V  
0.1  
—
2
2.5  
10  
CM  
10  
nA/°C  
Least Positive Input Voltage  
Most Positive Input Voltage  
Input Impedance  
−0.5  
3.3  
−0.2  
3.2  
0
+0.1  
3.0  
V
V
max  
min  
B
B
3.1  
Differential-Mode  
10  2.1  
400  1.2  
kΩ  pF  
kΩ  pF  
typ  
typ  
C
C
Common-Mode  
OUTPUT  
Least Positive Output Voltage  
R
= 1kΩ to 2.0V  
= 150Ω to 2.0V  
= 1kΩ to 2.0V  
= 150Ω to 2.0V  
0.03  
0.18  
4.94  
4.86  
80  
0.16  
0.3  
4.8  
4.6  
60  
0.18  
0.35  
4.6  
4.5  
55  
0.20  
0.40  
4.4  
4.4  
52  
V
V
max  
max  
min  
min  
min  
min  
typ  
A
A
A
A
A
A
C
C
L
R
L
Most Positive Output Voltage  
R
L
V
R
L
V
Current Output, Sourcing  
Current Output, Sinking  
mA  
mA  
mA  
Ω
80  
60  
55  
52  
Short-Circuit Output Current  
Closed-Loop Output Impedance  
POWER SUPPLY  
Output Shorted to Either Supply  
100  
0.2  
G = +2, f ≤ 100kHz  
typ  
Minimum Operating Voltage  
Maximum Operating Voltage  
Maximum Quiescent Current  
Minimum Quiescent Current  
Power-Supply Rejection Ratio (PSRR)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Specification: ID, IDBV  
+2.8  
—
V
typ  
max  
max  
min  
min  
C
A
A
A
A
+11  
4.1  
3.7  
61  
+11  
4.8  
3.5  
60  
+11  
5.5  
3.2  
59  
V
V
V
= +5V  
= +5V  
3.9  
3.9  
66  
mA  
mA  
dB  
S
S
Input-Referred  
−40 to +85  
°C  
typ  
C
Thermal Resistance  
D
SO-8  
125  
150  
°C/W  
°C/W  
typ  
typ  
C
C
DBV SOT23-5  
(1)  
(2)  
(3)  
Junction temperature = ambient for +25°C specifications.  
Junction temperature = ambient at low temperature limits; junction temperature = ambient +5°C at high temperature limit for over temperature.  
Test levels: (A) 100% tested at +25°C. Over temperature limits by characterization and simulation. (B) Limits set by characterization and simulation. (C) Typical value only  
for information.  
Current is considered positive out of node.  
(4)  
4
1234567...26

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