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NZ9F8V2T5G

更新时间： 2024-02-09 04:02:54

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安森美 - ONSEMI		稳压器
页数	文件大小	规格书
4页	93K
描述
Zener Voltage Regulators 200 mW SOD−923 Surface Mount

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NZ9F8V2T5G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	End Of Life
包装说明：	R-PDSO-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	6.21
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	30 Ω
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	8.2 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

NZ9F8V2T5G 数据手册

NZ9F2V4T5G SERIES

Zener Voltage Regulators

200 mW SOD−923 Surface Mount

This series of Zener diodes is packaged in a SOD−923 surface

mount package. They are designed to provide voltage regulation

protection and are especially attractive in situations where space is at a

premium. They are well suited for applications such as cellular

phones, hand held portables, and high density PC boards.

http://onsemi.com

Specification Features:

Cathode

Anode

• Standard Zener Breakdown Voltage Range − 2.4 V to 24 V

• Steady State Power Rating of 200 mW

• Small Body Outline Dimensions:

0.039″ x 0.024″ (1.00 mm x 0.60 mm)

• Low Body Height: 0.016″ (0.40 mm)

MARKING

DIAGRAM

• ESD Rating of Class 3 (>16 kV) per Human Body Model

• These are Pb−Free Devices

X MG

SOD−923

CASE 514AB

Mechanical Characteristics:

CASE: Void-free, transfer-molded, thermosetting plastic

Epoxy Meets UL 94 V−0

LEAD FINISH: 100% Matte Sn (Tin)

MOUNTING POSITION: Any

= Specific Device Code

= Month Code

= Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)

QUALIFIED MAX REFLOW TEMPERATURE: 260°C

Device Meets MSL 1 Requirements

ORDERING INFORMATION

Device

Package

Shipping†

MAXIMUM RATINGS

NZ9FxxxxT5G

SOD−923 8000/Tape & Reel

(Pb−Free)

Rating

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR−5 Board,

200

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

@ T = 25°C

Junction and Storage

Temperature Range

T , T

−65 to +150

°C

stg

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum

Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended

Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the

Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

DEVICE MARKING INFORMATION

See specific marking information in the device marking

column of the Electrical Characteristics tables starting on

page 3 of this data sheet.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2008

Publication Order Number:

July, 2008 − Rev. 1

NZ9F2V4/D

12 3 4

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NZ9F8V2T5G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MM3Z8V2C	ONSEMI	功能相似	200mW 5% Zener, SOD323F
MM3Z8V2C	FAIRCHILD	功能相似	Zener Diodes
CD1005-Z8V2	BOURNS	功能相似	CD0603/1005-Z Surface Mount Zener Diode Series

与NZ9F8V2T5G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NZ9F9V1ST5G	ONSEMI	获取价格	Zener Voltage Regulators 200 mW SOD−923 Surface Mount
NZ9F9V1T5G	ONSEMI	获取价格	Zener Voltage Regulators 200 mW SOD−923 Surface Mount
NZ9FXXXST5G	ONSEMI	获取价格	Zener Voltage Regulators 200 mW SOD−923 Surface Mount
NZB1CHP	VISHAY	获取价格	Transistor
NZB1CHP-2	VISHAY	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
NZB2CHP	VISHAY	获取价格	Transistor
NZB2CHP-1	VISHAY	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
NZB2CHP-2	VISHAY	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
NZB3CHP	VISHAY	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
NZB3CHP-1	VISHAY	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-

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