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NZD560ATF

更新时间： 2024-01-11 01:00:48
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 53K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3

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NZD560ATF 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.77
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：55 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：75 MHzBase Number Matches：1

NZD560ATF 数据手册

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NZD560A  
NPN Low Saturation Transistor  
•
These devices are designed for high current gain and low saturation  
voltage with collector currents up to 3.0A continuous.  
Sourced from process NA.  
•
D-PAK  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
Absolute Maximum Ratings * T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
55  
CEO  
80  
V
CBO  
EBO  
5
V
I
- Continuous  
3
A
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ +150  
°C  
J
STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operation.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min. Typ. Max. Units  
Off Characteristics  
BV  
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Base Cutoff Current  
I
I
I
= 10mA, I = 0  
55  
80  
5
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
C
E
E
B
= 100µA, I = 0  
E
= 100µA, I = 0  
C
I
V
V
= 30V, I = 0  
100  
10  
nA  
µA  
CBO  
CB  
CB  
E
= 30V, I = 0, T = 100°C  
E
A
I
Emitter-Base Cutoff Current  
V
= 4V, I = 0  
10  
nA  
EBO  
EB  
C
On Characteristics *  
h
DC Current Gain  
I
I
I
I
I
= 100mA, V = 2V  
70  
250  
80  
25  
200  
FE  
C
C
C
C
C
CE  
= 500mA, V = 2V  
550  
CE  
= 1A, V = 2V  
CE  
= 3A, V = 2V  
CE  
= 1A, V = 3V  
CE  
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
I
I
= 1A, I = 100mA  
300  
400  
1.5  
mV  
mV  
V
CE  
C
C
C
B
= 2A, I = 200mA  
B
= 1A, I = 8mA  
B
V
V
(sat)  
(on)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
I
= 1A, I = 100mA  
1.25  
1
V
V
BE  
C
C
B
= 1A, I = 8mA  
B
I
= 1A, V = 2V  
1
V
BE  
C
CE  
Small Signal Characteristics  
C
Output Capacitance  
Transition Frequency  
V
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
30  
pF  
obo  
CB  
E
f
I
= 100mA, V = 5V,  
75  
MHz  
T
C
CE  
f = 100MHz  
* Pulse Test: Pulse width ≤ 300µs, Duty cycle ≤ 2.0%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B1, August 2002  
123456

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