是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.87 | 主体宽度: | 5.4 mm |
主体高度: | 18.5 mm | 主体长度或直径: | 5.8 mm |
内置特性: | PIN PHOTODIODE, TEC, THERMISTOR | 数据速率: | 2500 Mbps |
最长下降时间: | 0.12 ns | 光纤设备类型: | LASER DIODE MODULE EMITTER |
JESD-609代码: | e0 | 安装特点: | THROUGH HOLE MOUNT |
信道数量: | 1 | 标称工作波长: | 1530 nm |
最小回损: | 6 dB | 上升时间: | 0.12 ns |
电源电流: | 100 mA | 最大供电电压: | 2 V |
最小供电电压: | 0.9 V | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 最小阈值电流: | 20 mA |
传输类型: | DIGITAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NX8530NH303 | NEC |
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Laser Diode Module Emitter, 2500Mbps, Through Hole Mount, CERAMIC PACKAGE-9 | |
NX8530NH303 | CEL |
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1 550 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE MODULE | |
NX8530NH311 | CEL |
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1 550 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE MODULE | |
NX8530NH318 | CEL |
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1 550 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE MODULE | |
NX8530NH326 | NEC |
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Laser Diode Module Emitter, 2500Mbps, Through Hole Mount, CERAMIC PACKAGE-9 | |
NX8530NH326 | CEL |
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1 550 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE MODULE | |
NX8530NH334 | CEL |
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1 550 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE MODULE | |
NX8530NH342 | NEC |
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Laser Diode Module Emitter, 2500Mbps, Through Hole Mount, CERAMIC PACKAGE-9 | |
NX8530NH342 | CEL |
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1 550 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE MODULE | |
NX8530NH350 | CEL |
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1 550 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE MODULE |