5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NX7661JB-BA
NX7661JB-BA PDF预览

NX7661JB-BA

更新时间： 2024-11-14 07:47:59
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 光电半导体
页数 文件大小 规格书
2页 21K
描述
LASER DIODE,1.625UM PEAK WAVELENGTH,MODULE C

阅读下载

中文翻译

获取价格

NX7661JB-BA 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84最大正向电压：4 V
最高工作温度：65 °C最低工作温度：-20 °C
光电设备类型：LASER DIODE峰值波长：1625 nm
最长响应时间：2e-9 s半导体材料：InGaAsP
光谱带宽：7e-9 m子类别：Laser Diodes
Base Number Matches：1

NX7661JB-BA 数据手册

 浏览型号NX7661JB-BA的Datasheet PDF文件第2页 
PRELIMINARY DATA SHEET  
InGaAsP STRAINED  
MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE  
NX7661JB  
MODULE FOR 1625 nm OTDR APPLICATION  
FEATURES  
DESCRIPTION  
The NX7661JB is a 1625 nm developed strained Multiple  
Quantum Well (st-MQW) structure pulse laser diode DIP  
module with single mode fiber and internal thermoelectric  
cooler. It is designed for light sources of optical measurement  
equipment (OTDR).  
• HIGH OUTPUT POWER:  
Pf = 120 mW MIN at IFP = 1000 mA,  
Pulse width (PW) = 10 ms, Duty = 1%  
• LONG WAVELENGTH:  
λC = 1625 nm  
• INTERNAL THERMOELECTRIC COOLER, THERMISTOR  
• HERMETICALLY SEALED 14 PIN DUAL-IN-LINE PACKAGE  
• SINGLE MODE FIBER PIGTAIL  
ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS (TLD = 25°C, TC = -20 to +65°C, unless otherwise specified)  
PART NUMBER  
NX7661JB  
TYP  
SYMBOLS  
PARAMETERS AND CONDITIONS  
UNITS  
V
MIN  
MAX  
4.0  
VFP  
ITH  
Pf  
Forward Voltage, CW, IF = 30 mA  
Threshold Current, CW  
mA  
30  
70  
Optical Output Power from Fiber, IFP = 1000 mA,  
PW = 10 µs, Duty = 1 %  
mW  
120  
λC  
Center Wavelength, RMS, IFP = 1000 mA,  
PW = 10 µs, Duty = 1 %  
nm  
1615  
1625  
7.0  
1635  
σ
Spectral Width, RMS, IFP = 1000 mA,  
PW = 10 µs, Duty = 1 %  
nm  
ns  
15.0  
2.0  
tr  
tf  
Rise Time, 10-90%  
Fall Time, 90-10%  
ns  
2.0  
ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS  
APPLICABLE TO THERMISTOR AND TEC: (TLD = 25°C, TC = -20 to +65°C, unless otherwise specified)  
PART NUMBER  
NX7561JB  
SYMBOLS  
PARAMETERS AND CONDITIONS  
UNITS  
MIN  
9.5  
TYP  
10.0  
3400  
0.6  
MAX  
10.5  
3500  
0.8  
R
B
Thermistor Resistance, TLD = 25°C  
kΩ  
K
B Constant  
3300  
IC  
Cooler Current, ∆T = 40 K  
Cooler Voltage, ∆T = 40 K  
Cooling Capacity, IC = 0.8 A  
A
VC  
∆T1  
V
1.1  
1.5  
K
40  
Note:  
1. ∆T = | TC - TLD |.  
California Eastern Laboratories  
12

中文翻译

下载PDF

与NX7661JB-BA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NX7661JB-BC CEL

获取价格

 		NECs 1625 nm InGaAsP MQW FP PULSED LASER DIODE IN DIP PACKAGE FOR OTDR APPLICATION (120 mW
NX7661JB-BC-AZ CEL

获取价格

 		NECs 1625 nm InGaAsP MQW FP PULSED LASER DIODE IN DIP PACKAGE FOR OTDR APPLICATION (120 mW
NX7663JB-BC CEL

获取价格

 		InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 625 nm OTDR APPLICATION
NX7663JB-BC RENESAS

获取价格

 		LASER DIODE InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 625 nm OTDR APPLICATION
NX7663JB-BC-AZ CEL

获取价格

 		InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 625 nm OTDR APPLICATION
NX76SA DIODES

获取价格

 		7.0mmx5.0mm CML 2-frequency Programmable XO
NX76SB DIODES

获取价格

 		7.0mmx5.0mm CML 4-frequency Programmable XO
NX8 ETC

获取价格

 		P CLIP BLACK PACK 100 Inhalt pro Packung: 100 Stk.
NX8045GB NDK

获取价格

 		Crystal Units For OA / AV
NX8045GB-5 TI

获取价格

 		This data sheet provides reference information for the TM4C123BE6PZ microcontroller, descr

与NX7661JB-BA相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证