5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NVD6828NLT4G-VF01
NVD6828NLT4G-VF01 PDF预览

NVD6828NLT4G-VF01

更新时间： 2024-11-07 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 117K
描述
单 N 沟道功率 MOSFET 90V，41A，20mΩ

阅读下载

中文翻译

获取价格

NVD6828NLT4G-VF01 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：DPAK-3/2Reach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：43 weeks 1 day风险等级：1.68
雪崩能效等级（Eas）：90 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：90 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：41 A最大漏极电流 (ID)：41 A
最大漏源导通电阻：0.025 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：83 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：206 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON

NVD6828NLT4G-VF01 数据手册

 浏览型号NVD6828NLT4G-VF01的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NVD6828NLT4G-VF01的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NVD6828NLT4G-VF01的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NVD6828NLT4G-VF01的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NVD6828NLT4G-VF01的Datasheet PDF文件第6页 
NVD6828NL  
Power MOSFET  
90 V, 20 mW, 41 A, Single N−Channel  
Features  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
• High Current Capability  
DS(on)  
• Avalanche Energy Specified  
http://onsemi.com  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
V
R
I
D
(BR)DSS  
DS(on)  
20 mW @ 10 V  
25 mW @ 4.5 V  
90 V  
41 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
90  
Unit  
V
D
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
"20  
41  
V
GS  
Continuous Drain Cur-  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
A
C
D
N−Channel  
rent R  
(Notes 1 & 3)  
q
JC  
G
T
C
29  
Steady  
State  
Power Dissipation R  
(Note 1)  
T
C
P
83  
W
A
q
D
JC  
S
T
C
= 100°C  
42  
Continuous Drain  
T = 25°C  
A
I
8.7  
D
4
Current R  
2 & 3)  
(Notes 1,  
q
JA  
T = 100°C  
A
6.1  
Steady  
State  
2
1
Power Dissipation R  
(Notes 1 & 2)  
T = 25°C  
A
P
3.8  
1.9  
206  
W
q
D
JA  
3
T = 100°C  
A
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 2  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
A
A
p
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
175  
°C  
J
stg  
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENT  
Source Current (Body Diode)  
I
40  
90  
A
S
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
mJ  
4
Energy (T = 25°C, V = 10 V, I = 24.5 A,  
J
GS  
L(pk)  
Drain  
L = 0.3 mH, R = 25 W)  
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
2
Drain  
1
3
Gate Source  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Junction−to−Case − Steady State (Drain)  
R
1.8  
40  
°C/W  
6828L = Device Code  
= Pb−Free Package  
q
JC  
G
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
q
JA  
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values  
shown, they are not constants and are only valid for the particular conditions  
noted.  
ORDERING INFORMATION  
2
2. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
†
Device  
Package  
Shipping  
3. Continuous DC current rating. Maximum current for pulses as long as 1  
second is higher but is dependent on pulse duration and duty cycle.  
NVD6828NLT4G  
DPAK  
2500/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
March, 2013 − Rev. 1  
NVD6828NL/D  
 
123456

中文翻译

下载PDF

与NVD6828NLT4G-VF01相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NVD-8 EDI

获取价格

 		NIGHT VISION H.V. RECTIFIER DIODES & ARRAYS
NVDD5894NL ONSEMI

获取价格

 		Dual N−Channel Power MOSFET
NVDD5894NLT4G ONSEMI

获取价格

 		Dual N−Channel Power MOSFET
NVDS015N15MCT4G ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 15
NVDSCD018 KOA

获取价格

 		metal oxide varistor disc type
NVDSCD082 KOA

获取价格

 		metal oxide varistor disc type
NVDSH20120C ONSEMI

获取价格

 		Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteS
NVDSH50120C ONSEMI

获取价格

 		Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteS
NVDUCD022 KOA

获取价格

 		metal oxide varistor disc type
NVDUCD027 KOA

获取价格

 		metal oxide varistor disc type

与NVD6828NLT4G-VF01相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证