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NTHL033N65S3HF

更新时间： 2023-09-03 20:40:25

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安森美 - ONSEMI		/
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10页	451K
描述
功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® III，FRFET®，650 V，70 A，33 mΩ，TO-247

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NTHL033N65S3HF 数据手册

NTHL033N65S3HF

TYPICAL CHARACTERISTICS

200

100

300

V_GS= 10.0 V

V_DS= 20 V

250 ms Pulse Test

8.0 V

7.0 V

6.5 V

6.0 V

5.5 V

100

150^oC

25^oC

−55 C

250ms Pulse Test

T_C= 25^oC

0.1

V_DS, Drain−Source Voltage[V]

_GS, Gate-Source Voltage[V]

Figure 1. On−Region Characteristics

Figure 2. Transfer Characteristics

0.04

0.03

0.02

0.01

1000

100

T_C= 25^oC

V_GS= 0 V

250 ms Pulse Test

V_GS= 10 V

150^oC

V_GS= 20 V

25^oC

0.1

−55 C

0.01

0.001

100

150

200

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

I_D, Drain Current [A]

V_S,_DBody Diode Forward Voltage [V]

Figure 3. On−Resistance Variation vs. Drain

Figure 4. Body Diode Forward Voltage

Current and Gate Voltage

Variation vs. Source Current and Temperature

100000

_D= 35 A

C_iss

10000

1000

100

V_DS= 130 V

V_DS= 400 V

C_oss

V_GS= 0 V

f = 1 MHz

C_rss

= C + C (C = shorted)

gs gd ds

iss

= C + C

oss

rss

ds gd

= C

0.1

100

150

200

0.1

100

1000

Q_g, Total Gate Charge [nC]

V_DS, Drain-Source Voltage [V]

Figure 5. Capacitance Characteristics

Figure 6. Gate Charge Characteristics

www.onsemi.com

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