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NSI1200C

更新时间： 2024-04-09 18:59:50

品牌	Logo	应用领域
纳芯微 - NOVOSENSE		隔离技术
页数	文件大小	规格书
25页	2721K
描述
NSI1200C是输出与输出基于NOVOSENSE电容隔离技术的隔离电流采样运放。此系列产品具有线性差分输入信号±250mV范围(满量程±320mV)。故障安全功能包括输入共模过压检测和VDD1缺

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NSI1200C 数据手册

NSI1200C

Datasheet (EN)1.0

5. Thermal Information

Parameters

Symbol

R_θJA

SOP8(150mil)

DUB8

SOP8(300mil)

Unit

℃/W

Junction–to-ambient thermal resistance

Junction-to-case (top) thermal resistance

Junction-to-board thermal resistance

Junction–to-top characterization parameter

Junction-to-board characterization parameter

137.7

54.9

71.7

R_θJC(top)

R_θJB

Ψ_JT

Ψ_JB

6. Specifications

6.1. Electrical Characteristics

(VDD1 = 3.0V ~ 5.5V, VDD2 = 3.0V ~ 5.5V, INP = -250mV to +250mV, and INN = GND1 = 0V, T_A= -40℃to 125℃. Unless otherwise

noted, Typical values are at VDD1 = 5V, VDD2 = 3.3V, T_A= 25℃)

Parameters

Power Supply

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Comments

Side1 Supply Voltage

Side2 Supply Voltage

Side1 Supply Current

Side2 Supply Current

VDD1

VDD2

IDD1

IDD2

3.0

4.0

5.0

3.3

5.8

5.1

5.5

7.2

6.3

VDD1 undervoltage detection

threshold voltage

VDD1_UV

1.8

2.3

2.7

VDD1 falling

Analog Input

Common-mode overvoltage

detection level

Detection level has a typical

hysteresis of 96 mV

V_CMov

2.8

Input offset voltage⁽¹⁾

Input offset drift ⁽²⁾

V_OS

-0.5

-5

±0.1

±1.5

0.5

INP = INN = GND1, at T_A=25℃

TCV_OS

μV/℃

INP = INN, f_IN= 0 Hz, V_{CM min}≤ VIN ≤

V_{CM max}

CMRR_dc

CMRR_ac

-98

-95

Common-mode rejection ratio

INP = INN, f_IN= 10 kHz, V_{CM min}≤ VIN

≤ V_{CM max}

Single-ended input resistance

Differential input resistance

Input capacitance

R_IN

R_IND

C_I

29.5

kΩ

INN = GND1

INP = INN = GND1, I_IB= (I_IBP+ I_IBN) /

2, at T_A=25℃

Input bias current

I_IB

-0.1

±1

µA

Input bias current drift ⁽²⁾

TCI_IB

nA/℃

Page 5

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