生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DIP, |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.83 |
地址总线宽度: | 18 | 边界扫描: | NO |
最大时钟频率: | 70 MHz | 外部数据总线宽度: | |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T48 | 长度: | 61.38 mm |
低功率模式: | NO | 内存组织: | 256K X 1 |
区块数量: | 4 | 端子数量: | 48 |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大压摆率: | 240 mA | 最大供电电压: | 5.5 V |
最小供电电压: | 4.5 V | 标称供电电压: | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | BIPOLAR |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 15.24 mm | uPs/uCs/外围集成电路类型: | MEMORY CONTROLLER, DRAM |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NS32817V-70X | NSC |
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IC 256K X 1, DRAM CONTROLLER, PQCC64, PLASTIC, CC-68, Memory Controller | |
NS32817V-80 | TI |
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IC 256K X 1, DRAM CONTROLLER, PQCC64, PLASTIC, LCC-68, Memory Controller | |
NS32817V-80X | NSC |
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IC 256K X 1, DRAM CONTROLLER, PQCC64, PLASTIC, CC-68, Memory Controller | |
NS32818D-70 | NSC |
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256KX1, DRAM CONTROLLER, CDIP48, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 | |
NS32818D-70 | TI |
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IC 256K X 1, DRAM CONTROLLER, CDIP48, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48, Memory Controller | |
NS32818D-80 | TI |
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IC 256K X 1, DRAM CONTROLLER, CDIP48, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48, Memory Controller | |
NS32818N-70 | TI |
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256KX1, DRAM CONTROLLER, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48 | |
NS32818V-70 | TI |
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256KX1, DRAM CONTROLLER, PQCC64, PLASTIC, LCC-68 | |
NS32818V-80 | TI |
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256KX1, DRAM CONTROLLER, PQCC64, PLASTIC, LCC-68 | |
NS32818V-80X | NSC |
获取价格 |
256KX1, DRAM CONTROLLER, PQCC64, PLASTIC, CC-68 |